测定半导体二极管的伏安特性.pdf

测定半导体二极管的伏安特性 1 背景知识 1.1 电子器件的伏安特性 电子器件的伏安特性是指流过电子器件的电流随器件两端电压的变化特性 ,测定出电子 器件的伏安特性， 对其性能了解与其实际应用具有重要意义。 在生产和科研中， 可用晶体管 特性图示仪自动测绘其曲线， 在现代实验技术中， 可用传感器及计算机进行测定给出测量结 果。如果手头没有现成的自动测量仪器， 提出应用电流表和电压表进行人工测量的方法， 进 行应急的测量是很有用的。 1.2 半导体二极管 半导体二极管是具有单向导电性的非线性电子元件，其电阻值与工作电流（或电压）有 关。二极管的单向导电性就是 PN 结的单向导电性： PN 结正向偏置时，结电阻很低，正向 电流 甚大（ PN 结处于导通状态） ；PN 结反向偏置时，结电阻很高，反向电流很小（ PN 结处于截 止 状态），这就是 PN 结的单向导电性。 （ 正向偏置） ； （反向偏置）。 二极管的结构：半导体二极管是由一个 PN 结，加上接触电极、引线和管壳而构成。按内 部结构的不同，半导体二极管有点接触和面接触型两类，通常由 P 区引出的电极称为阳极， N 区引出的电极称为阴极。 二极管的伏安特性及主要参数：二极管具有单向导电性，可用其伏安特性来描述。所谓 伏安特性， 就是指加到二极管两端的电压与流过二极管的电流的关系曲线， 如下图所示。 这 个特性曲线可分为正向特性和反向特性两个部分。 图 1 二极管的伏安特性曲线 （1）正向特性 当二极管加上正向电压时，便有正向电流通过。但是，当正向电压很低时，外电场还不 能克服 PN 结内电场对多数载流子扩散运动所形成的阻力，故正向电流很小，二极管呈现 很大的电阻。当正向电压超过一定数值（硅管约 0.5V ，锗管约 0.2V）以后，内电场被大 大削弱，二极管电阻变得很小，电流增长很快，这个电压往往称为阈电压 UTH(又称死区 电压： 0-U0)。二极管正向导通时，硅管的压降一般为 0.6-0.7V ，锗管则为 0.2-0.3V 。 导通以后，在二极管中无论流过多大的电流（当然是允许范围之内的电流） ，在极管的 两端将始终是一个基本不变的电压，我们把这个电压称为二极管的“正向导通压降” 。 （2 ）反向特性 二极管加上反向电压时，由于少数载流子的漂移运动，形成很小的反向电流。反向 电流有两个特性：一是它随随温度的增加而增长得很快，这是由于少数载流子的数量随 随温度增加而按指数规律迅速增长的缘故；二是在反向电压不超过某一范围时，反向电 流不随反向电压改变而达到饱和，故这个电流 IBO 称为反向饱和电流。 当加二极管的反向电压过高时，反向电流突然急剧增大，二极管失去单向导电性， 这种现象称为电击穿，这个电压 URB称为反向击穿电压。发生击穿的原因是外加的强电 场强制地把原子的外层价电子拉出来使载流子数目急剧上升。而处于强电场中的载流子 又因获得很大的能量，而将其它价电子撞击出来，产生更多的载流子，如此连锁反应， 使反向电流迅速增大，这种现象称为雪崩击穿。因此，当二极管的反向电压接近或超过 击穿电压 URB，又没有适当的限流措施时，将会因电流大，电压高而使管子造成永久性 的损坏。 （3 ）主要参数 1、最大整流电流 IOM 最大整流电流是指二极管能够允许通过的最大正向平均电流值。当电流超过这个允 许值时，二极管会因过热而烧坏，使用时务必注意。 2 、反向击穿电压 URB 与最高反向工作电压 URM URB 是指二极管反向击穿时的电压值。击穿后，其反向电流剧增，二极管的单向