发光二极管物理实验报告.pdf

项目说明书 张益鑫 赵正 王冬 第一部分：发光二极管特性的研究 摘要： 在我们的生活中，随处可见到各种各样的发光二极管，包括半导体发光二极管（简称 LED）、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏（简称矩阵管）等。事实上，数码管、符号 管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管，在众多类型的发光二极管中， 我们选择了使用较为普遍的红色 LED （图1）做为重点，研究了它的内部结构，电学特性，发 光特性。 图 1 我们重点研究的二极管 实验原理 一、 发光二极管结构 以红色发光二极管为例，我们将其切开，可以清楚的看到其内部结构，它的核心是 PN 结，正是由于 PN结的单向导电性，所以发光二极管只有通以正向电压时才可以发光，当 PN 结承受反向电压时，电阻趋于无穷大，二极管截止，不会发光。 1 图 2 剖开的红色 LED 二、 LED 发光原理 - Ⅳ族化合物，如砷化镓、磷化镓、磷砷化镓等半导体制成的，其核 心是 PN结。因此它具有一般 P-N 结的 I-N 在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由 N 区注入 P 区，空穴由 P 区注入 N 区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流（多子）复合而发光，如下图 所示： 图 3 LED 发光原理图 三、 LED 的电学特性 2 1. LED的常见电学参数 通过查找资料，我们找到了 LED的一些常用参数： 1.1 允许功耗 Pm:允许加于 LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此 值， LED发热、损坏。 1.2 最大正向直流电流 IFm：允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。 1.3 最大反向电压 VRm：所允许加的最大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损 坏。 1.4 正向工作电流 If ：它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根 据需要选择 IF 在 0.6 ·IFm 以下。 1.5 正向工作电压 VF：参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。一般是 在 IF=20mA 时测得的。发光二极管正向工作电压 VF在 1.4 ～3V。在外界温度升高时， VF 将下降。 2.LED 的伏安特性 在 LED两端加上不同的电压，测得多组（ U— I ）值，可以得到 LED 的伏安特性曲线， 从实验得出的伏安特性曲经可以看出，在正向电压正小于某一值（叫阈值）时，电流极 小，不发光，而当电压超过某一值后，正向电流随电压迅速增加，二极管发光。由 V-I 曲线可以得出发光管的正向电压，反向电流及反向电压等参数。正向的发光管反向漏电 流 IR10 μA 以下。 图 3 伏安特性曲线 四、 发光二极管的光强分布规律 下图给出的发光二极管发光强度角分布的情况。中垂线（法线） AO的坐标为相对发 光强度（即发光强度与最大发光强度的之比）。显然，法线方向上的相对发光强度为 1， 离开法线方向的角度越大，相对发光强度越小。由此图可以得到半值角或视角值。 3