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? 动态喷洒 随着晶园直径越来越大，静态涂胶已不能 满足要求，动态喷洒是晶园以 500rpm 的速度低 速旋转，其目的是帮助光刻胶最初的扩散，用 这种方法可以用较少量的光刻胶而达到更均匀 的光刻胶膜。待扩散后旋转器加速完成最终要 求薄而均匀的光刻胶膜。 低转 速 真空 高转 速 31 第八章 基本光刻工艺流程 光刻的目的和意义第四章已做过简单的描 述，这一章主要介绍基本光刻工艺中的 表面准 备至曝光 的工艺步骤及光刻胶的特性。 8.1 简介 光刻工艺首先是 在晶园表面建立尽可 能接近设计规则中所 要求尺寸的图形，其 次是在晶园表面正确 定位图形。 晶圆 晶圆 晶圆 表面层 图形层 1 因为最终的图形是用多个掩膜版按照特定的 顺序在晶园表面一层一层叠加建立起来的。图 形定位的要求就好像是一幢建筑物每一 层之间所要求的正确对准。如 果每一次的定位不准，将会导 致整个电路失效。除了对特征 图形尺寸和图形对准的控制， 在工艺过程中的缺陷水平的控 制也同样是非常重要的。光刻 操作步骤的数目之多和光刻工 艺层的数量之大，所以光刻工 艺是一个主要的缺陷来源 。 #2 栅掩膜 #1 阱掩膜 #3 接触 掩膜 #4 金属 掩膜 #5 PAD 掩膜 2 8.2 光刻蚀工艺概况 光刻蚀是一种多步骤的图形转移过程，首 先是在掩膜版上形成所需要的图形，之后通过 光刻工艺把所需要的图形转移到晶园表面的每 一层。 图形转移通过两步完成。首先，图形被转 移到光刻胶层。光刻胶经过曝光后自身性质和 结构发生变化（由原来的可溶性物质变为非可 溶性物质，或者相反）。再通过化学溶剂（显 影剂）把可以溶解的部分去掉，在光刻层下就 会留下一个孔，而这个孔就是和掩膜版不透光 的部分相对应。 3 工艺步骤 目的 在掩膜版和图形在晶圆上 的精确对准和光刻胶的曝 光。负胶是聚合物 对准和曝光 显影 除非聚合的光刻胶 去 掩膜 图形 / 光刻胶 氧化层 晶圆 晶圆 光刻胶 氧化层 4 其次，把图形从光刻胶层转移到晶园上。 这一步是通过不同的刻蚀方法把晶园上没有被 光刻胶保护的部分的薄膜层去掉。这时图形转 移就彻底完成了。如图所示。 艺步骤 工 目的 刻蚀 将晶圆顶层通过光刻 胶的开口去除 光刻胶去除 从晶圆上去除光刻 胶层 光刻胶 氧化层 氧化层 晶圆 晶圆 5 如果掩膜版的图形 是由不透光的区域决 定的，称其为亮场掩 膜版；而在一个暗场 掩膜版中，掩膜版上 的图形是用相反的方 式编码的，如果按照 同样的步骤，就会在 晶园表面留下凸起的 图形。 暗场掩膜版主要 用来制作反刻金属互 联线。 亮场 暗场 6 刚才介绍了对光有负效应的光刻胶，称为负 性胶。同样还有对光有正效应的光刻胶，称为正 胶。用正性胶和亮场掩膜版在晶园表面建立凸起 图形的情况如图 8.7 所示。 右图显示了用不同极 性的掩膜版和不同极 性的光刻胶相结合而 产生的结果。通常是 根据尺寸控制的要求 和缺陷保护的要求来 选择光刻胶和掩膜版 极性的。 掩膜版极性 亮场 暗场 负 正 空穴 凸起 凸起 空穴 光刻 胶极性 7 工艺步骤 目的 对准和曝光 掩膜版和图形在晶圆上的 精确对准和光刻胶的曝光。 正胶被光溶解 掩膜版 图形 / 晶圆 晶圆 晶圆 晶圆 光刻胶 氧化层 光刻胶 氧化层 显影 去除非聚合光刻胶 刻蚀 表层去除 光刻胶去除 光刻胶去除 8 8.3 光刻 10 步法 把图形从掩膜版上转移到晶园表面是由多 个步骤完成的（见图 8.9 ），特征图形尺寸、 对准精度、晶园表面情况和光刻层数都会影响 到特定光刻工艺的难以程度。虽然许多光刻工 艺都不尽相同，但大部分都是基于光刻 10 步法 的变异或选项。所以了解和掌握基本的光刻 10 步法是非常必要的。 8.4 光刻胶 光刻胶是光刻工艺的核心，光刻过程中的 所有操作都会根据特定的光刻胶性质和想达到 的预期结果而进行微调。光刻胶的选择和光刻 工艺的研发是一个非常漫长的过程。 9 8.4.1 光刻胶的组成 光刻胶由 4 种 成分组成： 聚合物 溶剂 感光剂 添加剂 成分 功能 聚合物 当被对准机光源曝光时， 聚合物结构由可溶变成 聚合（或反之） 溶剂 稀化光刻胶，通过旋转 形成薄膜 感光剂 在曝光过程中控制和 或 / 调节光刻胶的化学反应 添加剂 各种添加的化学成分实 现工艺效果，例如染色 10 ? 聚合物 聚合物是由一组大而且重的分子组成，包 括碳、氢和痒。 对负性胶，聚合物曝光后会由 非聚合状态变为聚合状态 。 在大多数负性胶里 面，聚合物是 聚异戊二烯 类型。是一种相互粘 结的物质－－抗刻蚀的物质，如图所示。 双键 未聚合的 聚合的 能量 CH CH CH CH (a) (b) × × × ×× × × × × × 11 正性胶 的基本聚合物是 苯酚