电力电子第二章第六讲.pptxVIP

电 力 电 子 技 术;2.9其它新型电力电子器件 ;2.9.1 集成门极换流晶闸管IGCT;2.9.1 集成门极换流晶闸管IGCT;;; 由MOSFET与晶闸管复合而成的新型双极复合型器件。 每个MCT器件由成千上万的MCT元组成，而每个MCT元又是由1个晶闸管、1个控制MCT导通的MOSFET和1个控制MCT关断的MOSFET组成。 MCT的通态电阻远低于其它场效应器。 MCT既具备功率MOSFET输入阻抗高、驱动功率小、开关速度快的特性，又兼有晶闸管高电压、大电流、低压降的优点。 其芯片连续电流密度在各种器件中最高，通态压降不过是GTR的1/3，而开关速度则超过GTR。 此外，由于MCT中的MOSFET元能控制MCT芯片的全面积通断，故MCT具有很强的导通di/dt和阻断du/dt 能力，其值高达2000A/μs和2000V/μs。其工作结温亦高达150-200℃，被认为是目前众多的新型功率器件中很有发展前途的器件。;2.9.3 功率模块和功率集成电路;IPM;2.10 电力电子器件的发展趋势;4）高效率电力电子器件的导通压降在不断的改善，降低了导通损耗。同时开通和关断过程的加快，也降低了开关损耗。 以上所述各种电力电子器件一般是由硅半导体材料制成的。除此之外，近年来还出现了一些性能优良的新型化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）和碳化硅（SiC）。由它们