数字电路第7章2013教学幻灯片.pptVIP

第七章 半导体存储器;学习要点： 介绍各种半导体存储器的工作原理和使用方法 只读存储器(ROM、PROM、EPROM和快闪存储器) 随机存储器（DRAM、SRAM） 存储器容量的扩展及用存储器设计组合逻辑电路的概念;7.1 概 述;地 址;用MOS 工艺制作的ROM ;7.2.2 可编程只读存储器(PROM);出厂时所有存储单元都存入1。; 用紫外线照射进行擦除的UVEPROM 、用电信号擦除的E2PROM和快闪存储器(Flash Memory)。; SIMOS;;1.浮置栅上未注入电荷在控制栅上加入正常高电平电压，SIMOS导通，相当于写入0。;二、E2PROM;三、闪速型存储???（Flash Memory）; 闪速存储单元又称为快擦快写存储单元。下图是闪速存储单元剖面图。;7.3 随机存储器（RAM）;由大量寄存器 构成的矩阵; 地址的选择通过地址译码器来实现。地址译码器由行译码器和列译码器组成。行、列译码器的输出即为行、列选择线，由它们共同确定欲选择的地址单元。; RAM是由许许多多的基本寄存器组合起来构成的大规模集成电路。RAM中的每个寄存器称为一个字，寄存器中的每一位称为一个存储单元。寄存器的个数（字数）与寄存器中存储单元个数（位数）的乘积，叫做RAM的容量。按照RAM中寄存器位数的不同，RAM有多字1位和多字多位两种结构形式。在多字1位结构中，每个寄存器都只有1位，例如一个容量为1024×1位的RAM，就是一个有1024个1位寄存器的RAM。多字多位结构中，每个寄存器都有多位，例如一个容量为256×4位的RAM，就是一个有256个4位寄存器的RAM。;1024 ? 4位RAM（2114）的结构框图;二、SRAM的静态存储单元;;集成2kB×8位RAM6116;7.4 RAM容量的扩展;字扩展;7.5 用存储器实现组合逻辑函数;例1：用ROM设计一个八段字符显示的译码器(真值表见P377)。;解：将上式化为最小项和的形式得到; 函数 最小项 ;例2的ROM点阵图; 如果把ROM的地址代码视为一组输入逻辑变量，并把输出数据视为一组多输出逻辑变量，则输出与输入之间就是一组多输出的组合逻辑函数。即：地址译码器的输出包含了全部输入变量的最小项，而每一条位线的输出又都是以这些最小项之和的形式给出。因而任何形式的组合逻辑函数均能通过向ROM中写入相应的数据来实现。;小结：;作业;