MOSFET原理、功率MOS与应用教程文件.pptVIP

MOSFET原理介绍与应用 田毅 内容 概述 原理介绍 低频小信号放大电路 功率MOSFET 应用 概述 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）金属-氧化层-半导体-场效应晶体管 它具有双极型三极管的体积小、重量轻、耗电少、寿命长等优点 具有输入电阻高、热稳定性好、抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等特点。 在大规模及超大规模集成电路中得到广泛的应用。 场效应管的分类： 从半导体导电沟道类型上分 从有无原始导电沟道上分 从结构上分 1 原理介绍 增强型MOS场效应管 耗尽型MOS场效应管 MOS场效应管分类 MOS场效应管 N沟道增强型的MOS管 P沟道增强型的MOS管 N沟道耗尽型的MOS管 P沟道耗尽型的MOS管 一、N沟道增强型MOS场效应管结构 增强型MOS场效应管 漏极D→集电极C 源极S→发射极E 绝缘栅极G→基极B 衬底B 电极—金属 绝缘层—氧化物 基体—半导体 因此称之为MOS管 动画五 当VGS较小时，虽然在P型衬底表面形成一层耗尽层，但负离子不能导电。 当VGS=VT时, 在P型衬底表面形成一层电子层，形成N型导电沟道，在VDS的作用下形成iD。 二、N沟道增强型MOS场效应管工作原理 增强型MOS管 - - - - 当VGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的PN结，无论VDS之间加什么电压都不会在D、S间形成电流iD,即iD≈0. 当VGSVT时, 沟道加厚，沟道电阻减少，在相同VDS的作用下，iD将进一步增加。 开始时无导电沟道，当在VGSVT时才形成沟道,这种类型的管子称为增强型MOS管 动画六 一方面 MOSFET是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。 当VGS＞VT，且固定为某一值时，来分析漏源电压VDS的不同变化对导电沟道和漏极电流ID的影响。 VDS=VDG＋VGS =－VGD＋VGS VGD=VGS－VDS 当VDS为0或较小时，相当 VGD＞VT ,此时VDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。在VDS作用下形成ID 增强型MOS管 另一方面，漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用 当VDS增加到使VGD=VT时， 当VDS增加到VGDVT时， 增强型MOS管 这相当于VDS增加使漏极处沟道缩减到刚刚开启的情况，称为预夹断。此时的漏极电流ID 基本饱和。 此时预夹断区域加长，伸向S极。 VDS增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上， ID基本趋于不变。 另一方面，漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用 VGD=VGS－VDS 三、N沟道增强型MOS场效应管特性曲线 增强型MOS管 iD=f(vGS)vDS=C 转移特性曲线 iD=f(vDS)vGS=C 输出特性曲线 当vGS变化时，RON将随之变化，因此称之为可变电阻区 恒流区(饱和区)：vGS一定时，iD基本不随vDS变化而变化。 一、N沟道耗尽型MOS场效应管结构 耗尽型MOS场效应管 + + + + + + +                   耗尽型MOS管存在 原始导电沟道 耗尽型MOS管 二、N沟道耗尽型MOS场效应管工作原理 当VGS=0时，VDS加正向电压，产生漏极电流iD,此时的漏极电流称为漏极饱和电流，用IDSS表示。 当VGS＞0时,将使iD进一步增加。 当VGS＜0时，随着VGS的减小漏极电流逐渐减小，直至iD=0，对应iD=0的VGS称为夹断电压，用符号VP表示。 N沟道耗尽型MOS管可工作在VGS0或VGS0 N沟道增强型MOS管只能工作在VGS0 耗尽型MOS管 三、N沟道耗尽型MOS场效应管特性曲线 输出特性曲线 转移特性曲线 各类绝缘栅场效应三极管的特性曲线 绝缘栅场效应管 N 沟 道 增 强 型 P 沟 道 增 强 型 绝缘栅场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 场效应管的主要参数 2. 夹断电压VP：是耗尽型FET的参数，当VGS=VP 时,漏极电流为零。 3. 饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管当VGS=0时所对应的漏极电流。 1. 开启电压VT：MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值,场效应管不能导通。 4. 直流输入电阻RGS:栅源间所加的恒定电压VGS与流过栅极电流IGS之比。结型:大于107Ω，绝缘栅:109～1015Ω。 5. 漏源击穿电压V(BR)DS: 使ID开始剧增时的V