3-(巯丙基)三甲氧基硅烷论文:硅胶微球表面镉离子印迹巯基合物的制备与性能.docVIP

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  • 2020-06-26 发布于四川
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3-(巯丙基)三甲氧基硅烷论文:硅胶微球表面镉离子印迹巯基合物的制备与性能.doc

3-(巯丙基)三甲氧基硅烷论文:硅胶微球表面镉离子印迹巯基合物的制备与性能 【中文摘要】离子印迹技术(Ion Imprinted Technique, IIT)是以特定离子为模板,制备出对目标离子具有专一识别性能的聚合物技术,在分离提纯、免疫检测、生物模拟和痕量分析领域展现出广阔的应用前景。在痕量和超痕量分析中采用离子印迹聚合物技术,使得化学分离和预富集技术获得重大突破。本文依据在硅胶微球表面修饰的分子印迹技术的基本思路,提出了一种基于硅胶表面修饰的制备离子印迹聚合物的方法,采用接枝方法,先将3-(巯丙基)三甲氧基硅烷(MPS)大分子偶合接枝到硅胶微粒表面,然后以镉离子为模板离子,以环氧氯丙

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