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年微电子学研究所发表的学术论文一器件研究室锗硅微波功率异质结双极晶体管张进书贾宏勇陈培毅中国电子学我们开发了一种简单的与硅工艺兼容的平面工艺并研制成功适合微波功率应用的异质结双极晶体管其电流增益为收集极和发射极击穿电压分别达到和在共发射极接法及类工作条件下连续波功率输出达收集极转换效率为在此基础上赫下工作功率增益达用于通信领域中的器件刘泽文李志坚刘理天电子科技导报微电子机械系统技术在未来的通信领域中有着广泛的应用本文介绍了若干个用于通信线路中的器件如微电容微电感微谐振器滤波器微开关等的典型结构形
1999年微 电子学研究所发表的学术论文
一、器件研究室
锗硅微波功率异质结双极晶体管
张进书，贾宏勇，陈培毅
中国电子学，11，1999
我们开发了一种简单的与硅工艺兼容的平面工艺，并研制成功适合微波功率应用的SiGe异质结双极晶体管
（HBT ）。其电流增益为50-320，收集极和发射极击穿电压分别达到28V和5V 。在共发射极接法及C类工作条件下，
连续波功率输出达5W，收
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