材料化学课后题答案第5章 材料的制备.pdfVIP

第五章 材料的制备 1. 提拉法中，控制晶体品质的因素主要有哪些？答：提拉法中，控制晶体品质的主要因素 有固液界面的温度梯度、生长速率、转晶速率以及熔体的流体效应等。 2. 单晶硅棒和厚度约1μm 的薄膜分别可用什么方法制备？ 答：1）单晶硅棒可以用晶体生长技术中的提拉法来制备，即将硅原料熔体盛放在坩埚中， 籽晶杆带着籽晶由上而下插入熔体，由于固液界面附近的熔体维持一定的过冷度，熔体沿籽 晶结晶，以一定速度提拉并且逆时针旋转籽晶杆，随着籽晶的逐渐上升，生长成单晶硅棒。 2 ）厚度约1μ m 的单晶硅薄膜可用阴极溅射法制备，即利用高能粒子轰击固体靶材表面（Si）， 使得靶材表面的原子或原子团获得能量并逸出表面，然后在基片的表面沉积形成单晶硅薄 膜。 3 ．液相外延法和气相沉积法都可制备薄膜，如果要制备纳米厚度的薄膜，应采用哪种方法？ 答：液相外延法具有设备简单、纯度高的特点，但是由于晶体成核和生长的速率较快，得到 的膜较厚，很难得到纳米厚度的薄膜。物理气相沉积可通过调控蒸镀源与靶之间的距离来调 控膜沉积的速率，化学气相沉积可通过体系的温度、压力等因素来调控膜沉积的速率。因此， 如果要制备纳米厚度的薄膜，应采用气相沉积法比较好。 4. CVD 法沉积SiO2 可通过哪些反应实现？写出相关化学方程式。 答：CVD 法沉积SiO2 可通过以下几种反应来实现。 1）烷氧化物的热分解：Si (OC H ) → SiO + C H + H O 2 5 4 2 2 4 2 2 ）硅化合物的氧化反应：SiCl (g) + O (g) → SiO (s) + 2Cl (g) 4 2 2 2 SiH (g) + O (g) → SiO (s) + 2H (g) 4 2 2 2 SiCl (g) + 2CO + 2H (g) → SiO (s) + 4HCl (g) + 2CO (g) 4 2 2 2 3 ）硅化合物的水解反应：SiCl (g) + 2H O (g) → SiO (s) + 4HCl (g) 4 2 2 Answer: CVD deposition of SiO2 can be achieved through the following reaction: 1) The alkoxide thermal decomposition: Si (OC H ) → SiO + C H + H O 2 5 4 2 2 4 2 2) Oxidation of silicon compounds: SiCl4 (g) + O2 (g) → SiO2 (s) + 2Cl 2 (g) SiH (g) + O (g) → SiO (s) + 2H (g) 4 2 2 2 SiCl (g) + 2CO + 2H (g) → SiO (s) + 4HCl (g) + 2CO (g) 4 2 2 2 3) Hydrolysis of silicon compounds: SiCl (g) + 2H O (g) → SiO (s) + 4HCl (g) 4 2 2