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热释光简单介绍 李国栋2013.10.13 主要内容 热释光（TL）的基本概念 热释光发光简单模型 热释光剂量计（TLD）材料的一般特征 热释光的定义 热释光是绝缘体或半导体加热时从中发出的光(TL) 注意：热释光是物质预先吸收了辐射能量之后受热激发所发出的光，不能与物质加热到白炽化时自发发射的光混淆。物质能吸收并储存辐射能量是其在辐射剂量方面应用的基础。 基本概念 热释光材料及基本要素 热释光材料 当受到辐射之后加热时能发出热释光的物质 材料的基本要素： 必须是绝缘体或半导体，金属不存在热释光 在受辐照时必须吸收能量 加热时可激发光辐射 注意：热释光是一次发光，一旦材料已产生热释光，为了再发光，就必须再次辐照该材料，而不能简单的冷却样品后再加热的想法使其再次发出热释光 简单模型一个陷阱中心一个复合中心 热释光发光过程 热释光发光是基于固体的能带理论，理想的晶体材料（绝缘体或半导体）中电子处于价带，当晶体中存在缺陷时，在禁带中会产生定域能级，此时电子可以处在定域能级上。如下图所示： Ef ：费米能级 T ：势电子陷阱 俘获电子 H中心 R ：势空穴陷阱 俘获空穴 F中心 Eg ：禁带能 a:电子和空穴的产生 b:电子和空穴的俘获 c:热激发电子的释放 d:电子和空穴的复合 当辐射吸收能量大于Eg时，引起价带电子的电离(a过程），在导带上产生自由电子，价带上产生自由空穴。这些自由载流子可相互结合(d过程）或者被定域能级俘获（b过程），但在它们各自的非定域能带内保持自由 直接复合：导带中的电子与价带中的空穴直接复 合 间接复合：导带中的自由电子与在R处被俘获的 空穴复合。 对于半导体或绝缘体，间接复合的概率大于直接复合，尤其对宽禁带的半导体和绝缘体。 自由电子被俘获在能级T（b过程）上，被俘获的电子吸收能量E后释放回到导带，则发生复合。单位时间电子从陷阱中释出的概率为p 式中 s 为频率因子，在此模型中是与时间无关的一常量，E是激活能（陷阱深度），к是波尔兹曼常数，T为绝对温度。 简单模型下动力学的“级” 一级动力学：Wilkins 和Randall假设在加热过程中再俘获概率可忽略，有 ，（7）式可简化如下： 在实验中一般温度随时间线性升高 得到 一级动力学下热释光曲线的表达式： 二级动力学：Garlick和 Gibson考虑再俘获的可能，并 假设陷阱远没有饱和，有 ， 又 （7）式可简化如下： 同样采取线性加热，可得到二级动力学发光曲线表达式 二级动力学发光曲线特征：发光曲线显得更对称，高温侧宽度略大约低温侧，随n的增加，温峰向低温移动。如下图 通用级动力学：在实际的发光过程中一级、二级动力学都不可能存在，May和Partridge给出了如下经验表达式 式中b是动力学的级，不等于1和2，S’= 式中 。 当b=1,2时，通用级回到一级、二级动力学表达式。  热释光剂量计（TLD）材料的一般特征 灵敏度 TLD材料的灵敏度是由单位质量、单位吸收剂量发出的热释光强度来确定。由此可看出灵敏度依赖于热释光测量过程，例如加热速率、光探测体系。灵敏度还与样品的制备过程、物理形态（单晶、粉末、薄膜等）和退火过程相关。此外，灵敏度还依赖于电离辐射的种类和能量。 敏化：吸收辐射剂量后，材料灵敏度增加的现象。 剂量响应曲线 剂量响应：TL强度随吸收剂量的变化。在理想情况下，TL随吸收剂量D的变化曲线在很大范围内呈线性变化。但很多实际使用的剂量材料都出现非线性，典型的情况是随着剂量的增加，先是线性响应，再是超线性响应，最后在接近饱和时是亚线性响应。如下图： 此外，还应注意剂量率对TL的影响。 能量响应 热释光材