第六章、内存与存储器管理(xu)教材课程.ppt

② DRAM存储单元电路（单管单元电路） DRAM存储单元电路工作原理 写入 写1时，D线高电平，对Cs充电 1 1 ② DRAM存储单元电路（单管单元电路） DRAM存储单元电路工作原理 写入 写0时，D线低电平，Cs放电 1 0 + ② DRAM存储单元电路（单管单元电路） DRAM存储单元电路的刷新问题 AMP 刷新由传感放大器在读出过程中同时完成。 在D线上增加了传感放大器后读过程实际 上就是一次刷新过程 T Vd Vpre=2.5V 读出1 AMP T Vd Vpre=2.5V 读出1 AMP T Vd Vpre=2.5V 读出1 AMP 微机系统 徐承彬 一、存储器系统概述 第六章、内存与存储器管理 一、存储器系统概述 1、存储器的基本概念 （1）存储器 是存放程序和数据的部件 （2）存储介质 能表示二进制数1和0的物理器件 （3）存储元 存储1位二进制代码信息的器件 （4）存储单元 若干个存储元的集合 （5）存储体 若干个存储单元的集合 （2）按访问方式分类 存 储 器 随机访问存储器 只读存储器 顺序访问存储器 直接访问存储器 （RAM） （ROM） （TAPE） （DISK） （3）按存储器的功能分类 存 储 器 高速缓冲存储器 主存 辅助存储器 控制存储器 二、存储器系统的层次结构 1、对存储器的要求 容量 速度 价格 系统中存储信息部件的特点 高缓存 主存 磁盘 磁带 寄 存器 小 大 快 慢 高 低 为了解决对存储器要求容量大，速度快， 成本低三者之间的矛盾，目前通常采用 多级存储器体系结构。 即： 高缓存 主存 外存 2、多级的存储体系结构 3、各存储器之间的关系 CPU 寄 存 器 组 Cache 主 存 外 存 主机 4、小结各存储器的作用 Cache CPU Cache 主存 外存 高速存取指令和数据 主存 存放计算机运行期间的 大量程序和数据 外存 存放系统程序和大型数 据文件及数据库 三、主存储器的组成与工作原理 1、存储单元电路 主存 半 导 体 RAM ROM 双极型 MOS型 静态 动态 ROM PROM EPROM EEPROM （1）、存储单元电路的基本要求 ①具有两种稳定状态，用来表示二进制的 1 和 0 ②可以实现状态写入 ③可以实现状态读去 （2）、存储单元电路的工作原理 ① SRAM存储单元电路（六管单元电路） MOS管功能 T1，T2：工作管 MOS管功能 T1，T2：工作管 T3，T4：负载管 MOS管功能 T1，T2：工作管 T3，T4：负载管 T5，T6：门控管 稳定状态 “ 1” ：T1 截止，T2 导通 “0” ：T2 截止，T1 导通 保持状态 字选线低电平，T5 和 T6截止，内部保持稳定 0 0 0 SRAM存储单元电路工作原理 读出 稳定状态： “ 1” ：T1 截止，T2 导通 “0” ：T2 截止，T1 导通 保持状态： 字选线低电平，T5 和 T6截止，内部保持稳定。 SRAM存储单元电路工作原理 读出 读出：输入条件：字选线高电平 1 1 1 SRAM存储单元电路工作原理 读出 如果原来保存信息是 “1”，D线则“读出”了 内部状态（A点电平）则为高，否则为低 1 1 1 “ 1” ：T1 截止，T2 导通 “0” ：T2 截止，T1 导通 SRAM存储单元电路工作原理 写入 稳定状态： “ 1” ：T1 截止，T2 导通 “0” ：T2 截止，T1 导通 保持状态： 字选线低电平，T5 和 T6截止，内部保持稳定。 SRAM存储单元电路工作原理 写入 写入：字选线高电平 SRAM存储单元电路工作原理 写入 写 1：D线高电平，D 线低电平 写 0：D线低电平，D 线高电平 ② DRAM存储单元电路（单管单元电路） Cs电容 Cd电容 ② DRAM存储单元电路（单管单元电路） Cs电容 Cd电容 Cs上有电荷表示 ‘1’ Cs上无电荷表示 ‘0’ 保持状态：字选线低电平，T截止， 理论上内部保持稳定状态 ② DRAM存储单元电路（单管单元电路） DRAM存储单元电路工作原理 读出 读出时：D 线先预充电到 Vpre=2.5V， 然后字选线高电平，T导通 1 2.5V ② DRAM存储单元电路（单管单元电路） DRAM存储单元电路工作原理 读出 若电路保存 信息1，Vcs=3.5V， 电流方向从单元电路内部向外 1 3.5V 2.5V ② DRAM存储单元电路（单管单元电路） DRAM存储单元电路工作原理 读出 若电路保存信息 0，Vcs=0.0