第二章-硅锗的区熔提纯教学文案.pptVIP

极限分布 经过多次区熔提纯后,杂质分布状态达到一个相对稳定且不再改变的状态,这种极限状态叫极限分布,也叫最终分布. CS(x)=AeBx K=Bl/(eBl-1) A=C0BL/(eBL-1) CS(x):极限分布时在x处固相中杂质浓度 K:分凝系数, l:熔区长度 X:锭的任何位置 C0:初始杂质浓度 L:材料的锭长度 若知道K?B ? A? CS(x) 达到极限分布时杂质在锭中分布的关系式 多次区熔规律: (图2-10,2-11) K越小, 两头杂质浓度越小,即Cs(x)越小 l越小 Cs(x)越小 K越小,l越小,区熔提纯效果越好!!! 影响杂质浓度极限分布的主要因素是杂质的分凝系数和熔区长度 2-2-4影响区熔提纯的因素 1.熔区长度 (1)一次区熔时 Cs=C0[1-(1-K)e-kx/l] l ?大,Cs ?小?提纯效果好 ? l越大越好 (2)极限分布时(K一定) l ?大,B ?小?A ?大?Cs(x) ?大?提纯效果差 ? l越小越好 一次区熔的效果，l 越大越好 极限分布时，l越小，A越小，B越大，锭头杂质浓度 越低，纯度越高 应用：前几次用宽熔区，后几次用窄熔区。 2.熔区的移动速度 BPS公式??? f越小，keff越接近k0，提纯效果好, 区熔次数少, 但是过低 的f使得生产效