新型硅基集成微电子及光电子材料[]资料教程.pptVIP

高k介质材料已经成为各大半导体公司的热门研究课题，一般认为氮氧化物可望成为新的栅介质材料，但到目前为止，还没有找到能够替代SiO2的理想高k 介质材料。 是典型的高K介质：介电常数为几十到105 铁电材料：在居里温度以下具有自发极化、且自发极化能够随外电场反向而反向（即电极化与外电场之间呈现电滞回线）的压电材料 铁电材料 普通电介质、压电体、热释电体和铁电体的比较 介质种类 极化 方式 对称中心 特殊方向 自发 极化 电滞回线 普通电介质 电场极化 无 无 无 压电体 电场极化 无 极轴 无 无 热释电体 电场极化 自发极化 无 极轴 存在 （温度TTc） 无 铁电体 电场极化 自发极化 无 极轴 存在 （温度TTc） 有 铁电材料：在非挥发存储器、红外探测器、电光开关、MEMS器件及非线性光学等领域有着广泛的应用前景 。 目前被广泛研究的是： 分子式为ABO3、具有钙钛矿结构的铁电材料，如BaTiO3 (BT), Pb(Zr,Ti)O3 (PZT), (Ba, Sr)TiO3 (BST) 等 。 是典型的高K介质：介电常数为几十到105 铁电材料：在居里温度以下具有自发极化、且自发极化能够随外电场反向而反向（即电极化与外电场之间呈现电滞回线）的压电材料 禁带宽度足够大（Eg大于5 eV） 与Si之间可以形成良好的界面 成分不太复杂， 容易用IC兼容的工艺制备 铁电材料 本人工作：利用磁控溅射沉积工艺在Si基上制备PZT铁电薄膜 当IC的特征尺寸减小到100nm以下时，有关膜层的厚度仅有几个到几十nm，这时膜层间的扩散问题变的严重！ 需要合适的隔离层 四.缓冲/隔离层材料 在Si上制作其它需要晶体材料时，如果两者晶格常数有较大的差异，则必须制作缓冲层！ 前面已经介绍LNO 新型硅基集成微电子及光电子材料 主要内容 微电子的发展规律与现状 0.13微米以下面临的问题及可能的解决办法 高K介质材料 缓冲层或隔离层材料 Si基发光材料 工作设想 一. 微电子技术发展的规律及现状 Moore定律等比例缩小(Scaling-down)定律 Moore定律 1965年Intel公司的创始人之一G.E. Moore预言IC产业的发展规律 集成电路的集成度每三年增长四倍， 特征尺寸每三年缩小 倍 Moore定律 10 G 1 G 100 M 10 M 1 M 100 K 10 K 1 K 0.1 K 1970 1980 1990 2000 2010 存储器容量 60%/年 ? 每三年，翻两番 1965年，G. Moore 预测半导体芯片上的晶体管数目每两年翻两番 微处理器的性能 100 G 10 G 1 G 100 M 10 M 1 M Kilo 1970 1980 1990 2000 2010 Peak Advertised Performance (PAP) Moore’sLaw Real AppliedPerformance (RAP) 41% Growth 8080 8086 80286 80386 80486 Pentium PentiumPro IC技术是近50年来发展最快的技术 Moore定律 ?? 性能价格比 在过去的20年中，改进了1,000,000倍 在今后的20年中，还将改进1,000,000倍 IC类型(按器件结构分) 双极型IC：主要由双极三极管构成 NPN型 PNP型 MOS型IC：主要由MOS三极管构成 NMOS PMOS CMOS 双极-MOS(BiMOS)型IC：综合了双极和MOS器件两者的优点，但制作工艺复杂 目前，采用CMOS工艺制作的IC器件占总数的90%以上 优点是速度高、驱动能力强， 缺点是功耗较大、集成度较低 功耗低、集成度高，随着特征 尺寸的缩小，速度也可以很高 我国年微电子发展情况 上海中芯国际：8英寸，0.25微米 上海宏力: 8英寸，0.25微米 北京华夏半导体: 8英寸，0.25微米 天津Motorola: 8英寸，0.25微米 上海贝岭: 华虹NEC： 我国微电子发展情况（南昌） 晶湛科技有限公司 国内第六条8英寸生产线 江西联创光电公司 国家 “铟镓氮LED外延片、芯片产业化”示范工程企业，国家半导体照明工程产业化南昌基地核心企业 晶能（LatticePower）公司 硅基蓝光LED生产线 21世纪初叶是我国微电子产业的黄金时期! 我国年微电子发展展望 微电子的特点 微电子中的空间尺度以?m和纳米nm为单位。 微电子学是信息领域的重要基础学科,它以实现电路和系统的集成为目的。同时, 微电子学也是一门综合性很强的学科 涉及了固体物理学、量子力学、热力学与统计物理学、材料科学、电