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《表面化学分析 全反射X射线荧光光
谱法(TXRF)测定硅片表面元素污染》
《Surface chemical analysis — Determination of surface elemental
contamination on silicon wafers by total-reflection X-ray fluorescence (TXRF)
spectroscopy》
国家标准编制说明
中国计量科学研究院、华南理工大学
本标准起草工作组
2020 年05 月
一、制订国家标准的目的和意义
硅片表面元素污染的控制在半导体工业中非常重要,目前通常采用全反射X
射线荧光光谱法(TXRF )对它们进行测定。随着超大规模集成电路(ULSI )制
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造的发展,目前要求对硅片表面含量极低(低于10 atoms/cm )的元素杂质进
行测定。在TXRF分析中,低含量杂质元素标准物质非常重要,但由于表面污染
问题常常导致标准物质的使用寿命有限。因此,需要对工作标准物质的制备方法
和测量方法进行规定和标准化。TXRF需要用标准物质来做定量分析。原子表面
密度低于1010 atoms/cm2 的有证标准物质难以获得。即使能够获得它们,环境中
的污染也可能会缩短这些标准物质的保质期。因此,出于校准目的,每一相关分
析实验室需要制备和分析TXRF标准物质。这样,两个标准是必要的,一个标准
关于TXRF 的测量程序,另一个标准关于标准物质的制备。
关于TXRF 的测量程序,国际标准化组织ISO 于2000 年发布了国际标准ISO
14706 :2000 《Surface chemical analysis — Determination of surface elemental
contamination on silicon wafers by total-reflection X-ray fluorescence (TXRF)
spectroscopy (表面化学分析 全反射X 射线荧光光谱法(TXRF )测定硅片表面
元素污染)》。为了与国际接轨并促进国内相关技术的提升,全国微束分析标准化
技术委员会(SAC/TC 38)于2018 年提出将国际标准ISO 14706 :2000 等同转化
为国家标准,且其被列入国家标准化管理委员会下达的2019 年第二批国家标准
制修订计划(项目编号T-469 ,2019 年7 月12 下达任务计划)。
制订的本国家标准规定了一种测量经化学机械抛光的或外延生长的硅片表
面元素污染的原子表面密度的TXRF 方法,它在利用TXRF 方法测定硅片表面元
素污染以及半导体产业的产品质量控制与保证方面具有重要的应用价值。
二、工作简况
(1)任务来源
国家标准化管理委员会下达的2019 年第二批国家标准制修订计划项目 (项
目编号T-469 ,表面化学分析 全反射X 射线荧光光谱法(TXRF )
测定硅片表面元素污染)。
本标准由全国微束分析标准化技术委员会(SAC/TC 38 )提出并归口。
(2 )起草单位及起草人
本标准起草单位为中国计量科学研究院和华南理工大学。中国计量科学研究
院属于社会公益型科研单位、隶属于国家质量监督检验检疫总局,是国家最高计
量科学研究中心和国家级法定计量技术机构,其职责和义务是研究、建立、维护
和保存国家计量基、标准和研究相关的精密测量技术。中国计量科学研究院开展
表面化学分析研究,曾代表国家参加多项表面化学分析国际比对且取得优良成
绩,曾制订多项表面化学分析国家标准,在表面化学分析计量与标准化方面积累
了较丰富的经验。华南理工大学是直属教育部的全国重点大学,是一所以工见长,
理、工、医结合,管、经、文、法等多学科协调发展的综合性研究型大学,在微
束分析(包括表面化学分析)标准化方面积累了非常丰富的经验。
本标准主要起草人包括王海、张艾蕊、王梅玲、任丹华、徐昕荣、范燕。王
海、张
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