直接跃迁与非直接跃迁.ppt

直接跃迁 在直接能隙半导体中,动量守恒跃迁将具有相冋k值的态连接起来 发射光谱:L(v)=B(hv-E3)2 发射光谱在hv=E处有 低能量的阈值。当激发速 率增加以及温度上升时 能带屮更深的能态被填充 这就会产生更高光子能量 的光发射。所以载流子复 合的特征,是它具有一个 与温度相关的高能量尾部, 在hv=Eg处,低能量 边缘突然截止。在低激发 情况,光发射峰的半宽度 近似等于0.7kT 自由电子一一自由空穴之间辐射复合例子 不同掺杂程度的n型lnAs的光 致发光谱。当掺杂浓度增加 时,发光峰和谱的高能量边 缘向较高光了能量方向漂移 是由于费米能级进入了导带 光子能址 图615n型InA的光发射 非直接跃迁 在非直接能隙半导体跃迁的过程中,所有的已被载流了占据的 较高能态都能与空着的较低能态相连。但是,要实现跃迁,还必须 要有一中问过程,才能达到动量守恒。 发射声子是最有可能的中间过 另一个使动量守恒的方法就是吸收声子 程。由发射声子来协助完成的 但在发射谱中很容易被 光跃迁,其能量位置比能要 原因 低,为hvmn=Eg-Ep 可供吸收的声子数是很少的,而且 在低温时很快减少,所以由已位于 高能态的电子来发射声子的可能性 ·由吸收声子来协助完成的光跃迁 其能量位置较高,至少在Eg-Ep 这个能量很容易被半导体再次吸收 图6-16间接辐射跃迁 直接跃迁与间接跃迁强度的比较 当激发能量超过发射阈值后,间接跃迁随着能量快速增长(次方式),而 直接跃迁的增长则慢的多(开平方式)。但是,非直接跃迁的跃迁概率系数 却比直接跃迁的小的多 图6-17直接跃迁与非直接跃迁强度的比较