数字电路后端设计中地一些概念.pdfVIP

天线效应 ：小尺寸的 MO S 管的栅极与很长的金属连线接在一起，在刻蚀过程中 , 这根金属线有可能象 一根天线一样收集带电粒子 , 升高电位 , 而且可以击穿 MO S 管的栅氧化层 , 造成器件的失效。 这种失效是 不可恢复的。不仅是金属连线 , 有时候多晶硅也可以充当天线。 这里的导体面积 A r e a m e t a l 是指从 MO S 管的输入端开始算起 , 直至到达该回路最顶层金属线之下的所有金属互连线 ( N i ,j , i 为互连节点所属 的金属层号 ,j 为金属层上的互连节点编号 ) 的面积总和。在这些金属互连线上将会累积电荷并导致输入端 MO S 管栅氧化层出现可能被击穿的潜在危险。 而顶层金属线之下连至输出端晶体管栅极的金属线并不会被 计算在 , 这是因为在芯片的制造过程中其上多余的游离电荷可以通过低阻的输出端 MO S 管顺畅泻放 。 同理 , 顶层金属线也不会对 A R 的值做出任何贡献