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第三章：原子的精细结构：电子的自旋 把原子放入磁场中，其光谱线发生分裂，原来的一条谱线分裂成几条的现象，被称为塞曼效应。 这是1896年由荷兰物理学家塞曼在实验中观察到的。光谱的分裂根源于其能级的分裂。 根据谱线分裂情况的不同，塞曼效应分为正常塞曼效应与反常塞曼效应。 第五节：塞曼效应 磁场中的能级分裂 正常塞曼效应 反常塞曼效应 帕刑-巴克效应 原子态的表示 结束 目录 next back 优选 * 6.4 塞曼效应 一、实验事实 1.塞曼效应现象 1896年，荷兰物理学家塞曼发现：若把光源放入磁场中，则一条谱线就会分裂成几条，且分裂后的谱线成分是偏振的，这种现象称为塞曼效应。 优选 * 正常塞曼效应：一条谱线在外磁场作用下，分裂为等间隔的三条谱线。 垂直于磁场方向观察 沿磁场方向观察 优选 * 第三章：原子的精细结构：电子的自旋 第三节：电子的自旋 综合上面的讨论，我们得到磁矩和角动量的比值为： （1） 其中 和 分别是轨道和自旋 g 因子 朗德g因子 前 言 电子自旋假设 角动量的合成 原子态的表示 S-G实验解释 结束 目录 next back 优选 * 引入 g 因子之后，任意角动量对应的磁矩 可以统一表示为： 第三章：原子的精细结构：电子的自旋 第三节：电子的自旋 （2） 量子数 j 取定后 =j,j-1,……，-j， 共2j+1个值.取j=l ,s 就可以分别得到轨道和自旋磁矩。 朗德g因子 前 言 电子自旋假设 角动量的合成 原子态的表示 S-G实验解释 结束 目录 next back 优选 * 第三章：原子的精细结构：电子的自旋 第三节：电子的自旋 在原子内部，有两种角动量 必然存在一个总角动量以及相应的磁矩。 ， 分别共线，合成后 朗德g因子 前 言 电子自旋假设 角动量的合成 原子态的表示 S-G实验解释 结束 目录 next back 优选 * 第三章：原子的精细结构：电子的自旋 第三节：电子的自旋 由于 ， 所以 不可能共线 在外磁场不太强时， 分别绕 旋进， 所以相应的 合成的 绕 方向旋进， 朗德g因子 前 言 电子自旋假设 角动量的合成 原子态的表示 S-G实验解释 结束 目录 next back 优选 * 的方向连续变化，其总效果为 0 ， 沿水平和沿直两方向分解， 在 我们可以将 的旋进过程中， 的方向保持不变，所以 就是原子的总磁矩。 第三章：原子的精细结构：电子的自旋 第三节：电子的自旋 朗德g因子 前 言 电子自旋假设 角动量的合成 原子态的表示 S-G实验解释 结束 目录 next back 优选 * 第三章：原子的精细结构：电子的自旋 第三节：电子的自旋 引入自旋后原子态的表示 上一章原子态表示为nL；引入自旋后，对于给定的 n 和 L ，除l =0 之外，j 都有两个值，所以现在的原子态表示为 其中2S+1=2（碱金属原子实的总角动量是0,最终对角动量有贡献的只是哪个单电子），所以单电子和一个价电子原子的能级都属于双重态系列。 朗德g因子 前 言 电子自旋假设 角动量的合成 原子态的表示 S-G实验解释 结束 目录 next back 优选 * 第三章：原子的精细结构：电子的自旋 第三节：电子的自旋 由于 所以双重原子态分别表示为 （1） 仅当l =0时， ，双重态只有一个原子态表示。 朗德g因子 前 言 电子自旋假设 角动量的合成 原子态的表示 S-G实验解释 结束 目录 next back 优选 * 第三章：原子的精细结构：电子的自旋 第三节：电子的自旋 比如nS，nP，nD 态的双重态表示为： （2） 朗德g因子 前 言 电子自旋假设 角动量的合成 原子态的表示 S-G实验解释 结束 目录 next back 优选 * 第三章：原子的精细结构：电子的自旋 第三节：电子的自旋 Stern-Gerlach 实验的理论解释 由前面的推导，我们得到单电子原子总磁矩，以及其分量的表达式: （1） （2） 这样，我们就可以计算不同状态的 以及 从而得到原子经过磁场后，分裂情况的表达式。 朗德g因子 前 言 电子自旋假设 角动量的合成 原子态的表示 S-G实验解释 结束 目录 next back 优选 * 第三章：原子的精细结构：电子的自旋 第三节：电子的自旋 1）g 因子的计算 入射原子的状态通常表示为 ，即告诉了我们该状态的各量子数n,l ,j,s，由方程： 可以求出相应状态的 g 因子 朗德g因子 前 言 电子自旋假设 角动量的合成 原子态的