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分子束外延技术(MBE)的原理及
其制备先进材料的研究进展
学号: XXXXXXXXXX
姓名:XX
主要内容
●MBE原理
●MBE前沿介绍
MBE原理一定义
●分子束外延( Molecular Beam Epitaxy,简称
MBE):它是在超高真空的条件下,把一定比
例的构成晶体的各个组分和掺杂原子(分子
以一定的热运动速度喷射到热的衬底表面来
进行晶体外延生长的技术
注:超高真空 Ultrahigh Vacuum)指的是真空压
力至少低于133x108Pa。
外延生长:在一个晶体表面上生长晶体薄膜,
并且得到的薄膜和衬底具有相同的晶体结构和
取向
MBE原理一系统
●目前最典型的MBE设备是由进样室、预处理和表
面分析室、外延生长室三个部分串连构成
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