cpu光刻技术分析与展望 zuoye.pdfVIP

光刻技术分析与展望 西安电子科技大学 微电子学院 鲁镝 摘要： 光刻在半导体集成电路制造工艺中，无论是从占用的资金、技术还是人员来看，都有举 足轻重的地位。光刻工艺的发展历史就是集成电路的发展历史，光刻技术的发展现状就是集 成电路的发展现状，不论是最低端的，还是今天最为先进的集成电路制造，光刻技术水平始 终决定着集成电路的生产水平。 关键词：光刻 曝光 分辨率 EUV 极端紫外光源 引言： 30 多年以来，集成电路技术的发展始终是随着光学光刻技术的不断创新所推进的。在 摩尔定律的驱动下，光学光刻技术经历了接触／接近(Aligner)、等倍投影、缩小步进投影 (Stepper)、步进扫描投影 (Scanner)曝光方式的变革(见图 l 所示) ，曝光波长由436nm 的h 线 向365nm 的i 线、继而到 248nm 的KrF0 ．5 m、0 ．35 m、0 ．1 m、90 nnl、65 nm、45 nnl 等节点。光刻技术始终为摩尔定律的不断向前推进而孜孜不懈地努力着，目前已迈向了 32 nn]节点的开发阶段。 正文： 人类社会对于“刻”、“做标记”并不陌生。作为文明的标志，远古的人们在洞穴中刻出了 生命的图腾。作为现代科学的象征，今天的人们在半导体晶片上刻出电路的结构。远古的人 们用的是木头，石头，今天人们更加聪明，需要刻在更加微小的尺度上，人们用的是电和光。 同样是一个刻，刻在半导体上就成了电路。  光刻技术在半导体产业中的重要地位 当然实际上没有理论分析地这么简单。光刻只是在半导体上刻出晶体管器件的结构， 以及晶体管之间连接的通路。要真正地实现电路，则还需要搀杂，沉积，封装等系列芯片工 艺手段。但光刻是第一步，整个芯片工艺所能达到的最小尺寸是由光刻工艺决定的。 自从1947 年第一个晶体管发明以来，科学技术一直在迅猛发展，为更高级、更强大、 成本效益和能效更高的产品发明铺平了道路。尽管进步巨大，但是晶体管发热和电流泄露问 题始终是制造更小的晶体管、让摩尔定律持久发挥效力的关键障碍。毫无疑问，过去 40 年 一直用来制造晶体管的某些材料需要进行替代。 从第一个晶体管问世算起，半导体技术的发展已有多半个世纪了，现在它仍保持着强劲 的发展态势，继续遵循Moore 定律即芯片集成度 18 个月翻一番，每三年器件尺寸缩小 0.7 倍的速度发展。大尺寸、细线宽、高精度、高效率、低成本的 IC 生产，正在对半导体设备 带来前所未有的挑战。 集成电路在制造过程中经历了材料制备、掩膜、光刻、清洗、刻蚀、渗杂、化学机械 抛光等多个工序，其中尤以光刻工艺最为关键，决定着制造工艺的先进程度。随着集成电 由微米级向钠米级发展，光刻采用的光波波长也从近紫外（NUV ）区间的436nm 、365nm 波长进入到深紫外（DUV ）区间的248nm 、193nm 波长。目前大部分芯片制造工艺采用了 248nm 和 193nm 光刻技术。目前对于 13.5nm 波长的 EUV 极端远紫外光刻技术研究也在提 速前进。 随着芯片集成度的提高，对光刻技术提出了越来越高的要求。在上世纪 80 年代，普遍 认为光学光刻技术所能达到的极限分辨率为 0.5 ，但是随着一些新技术的应用和发展，包括 光源、成像透镜、光致抗蚀剂、分步扫描技术以及光刻分辨率增强技术（RET ）的发展，使 其光刻极限已推进到目前的 0.1 以下。尽管有人对光学光刻的潜力充满怀疑，但其仍以顽强 的生命力，不断突破所谓的极限分辨率，是目前所采用的主流光刻技术。 光刻技术是集成电路的关键技术之一，它在整个产品制造中是重要的经济影响因子，光 刻成本占据了整个制造成本的 35 ％。光刻也是决定了集成电路按照摩尔定律发展的一个重 要原因，如果没有光刻技术的进步，集成电路就不可能从微米进入深亚微米再进入纳米时代。 ● 光刻技术的组成与关键点 光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂（或称光刻胶）感光后因光化学反应而形成耐蚀性 的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。 光刻半导体芯片二氧化硅的主要步骤是： 1 、涂布光致抗蚀剂； 2 、套准掩模板并曝光； 3 、用显影液溶解未感光的光致抗蚀 剂层； 4 、用腐蚀液溶解掉无光致抗蚀剂保护的二氧化硅层； 5 、去除已感光的光致抗蚀 剂层。 光