注入时通常采用光刻胶与SiO2作掩膜.pptVIP

谨以此机会共勉 爱心、细心、耐心、责任心去建设一流的代工生 产线。 1个别工艺介绍 1. I Photo Lithograph(PR)光刻 1.2 Etching腐蚀技术 1.3 Ton Implant离子注入 1.4cvD( Chemical vapor Deposition)化学气相沉积 1.5 Diffusion扩散 1.6 Sputter金属溅射 2产品制造工艺流程概要 2.1硅基板的选择 2.2We11的形成 2.3器件隔离 2.4源漏栅的形成 2.5存储单元的形成 2.6布线技术 2.7 Cover层的形成 1. I Photo Lithograph(PR)光刻 在使用掩膜进行光或X线曝光时,将扌 或在使用不需要掩膜的电子束曝光时,将数据式 刻胶像。在LSI制造过程中,一般需用20-30道光刻工 序。现在的主流技术都采用紫外线(UV)为 光源有:水银灯g线(波长:436nm)I线(波长:365mm) 激光KrF(波长:248m)波长越短有助于形成更精细的图形 工艺流程包括以下几个方面 1.光刻胶的涂覆 2.预烘 曝光 4.显影 6.腐蚀(离子注入) 7.光刻胶的去除 1.2 Etching腐蚀技术 腐蚀技术是利用化学腐蚀法把材料的某一部分去除的技术,通常,是用光刻工艺形成的光刻胶作 掩膜对下层材料进行腐蚀 腐蚀技术可分为两大类:混法腐蚀进行腐蚀的化学物质是溶液;