现代科技综述知识文库：缺陷化学.pdf

现代科技综述系列—— 缺缺陷陷化化学学 科技是人类区别于动物的重要文明之一， 是人类对自然规律研究 利用的学科。 本文提供对科技基本概念 “缺陷化学” 的解读，以供大家了解。 缺缺陷陷化化学学 缺陷化学属材料科学的范畴，是固体化学的一个重要 分支学科。 它是研究固体物质(材料) 中的微观、显微微观缺陷(主 要是点缺陷) 的产生，缺陷的平衡，缺陷存在对材料性 质的影响以及如何控制材料中缺陷的种类 浓度等问 题。 “材料的缺陷控制”既是过去 现用材料的主要问题， 也是将来新材料研制开发的关键。 1926年，弗伦克耳(T ．Frenkel)为了解释Ax离子晶体导 电的实验事实，提出了所谓的“弗伦克耳缺陷”模型； 1930年瓦格纳(Wager) 肖脱基(Schottky)在研究晶体的 电导率时，发现电导率与化学反应活性之间有密切关 系，提出了所谓“ 肖脱基缺陷”模型。 Frenkel、Wager 、Schottky认为晶体在O 时是完美无缺 的，所有离子均处在正常位置上。 当温度高于0 时，由于热激发的作用，最终总会使某 些格点上的离子离开了正常位置，从而形成点缺陷： 空位 间隙子，缺陷的平衡浓度由晶体平衡时，吉布 斯自由能为极小来确定。 Frenkel、Wager Schottky的点缺陷观点及其理论是基 于当时已经相当成熟的分子运动论、化学热力学 统 计力学的理论上，加上实验事实的支持，所以能广泛 地被人们所接受并被沿用至今。 Frenkel、Wager Schottky也被公认为缺陷化学的创始 人。 1937年德国德博尔(de Boer)提出了F色心模型，建立色 心理论，开始了对晶体中点缺陷的缔合方面的研究。 1938年，中国李薰在研究杂质缺陷对金属强度的影响 时，发现了氢杂质是导致钢轴“发裂”这个长期令人困 惑不解的难题，并发明了钢中去氢技术。 1942年塞兹(Seitz) 普来斯未克(Preisweik)为了阐明晶 体扩散的机制而研究铜中点缺陷的形成能。 同年亨丁顿(Huntington)利用Hartree-Fock近似 BMP方 法计算了铜中的点缺陷形成能。 1948年发现了辐照生成Frenkel缺陷的所谓维格纳 (Wigner)效应。 同年马特(Mott) 科尼(Gurney)对具有能抵消错价置换 式杂质的过剩电荷的空位缺陷进行了研究。 1947年11月17 日肖特基、巴登、布拉顿在研究晶体表 面性能时发现晶体管作用。 这个发现为在晶体中引入缺陷并利用缺陷开辟了广阔 的前景。 1954年塞兹(Seitz)对离子晶体，1955年金兴( inchin) 皮斯(Pease)对半导体晶体，1958年布鲁姆(Broom) 哈 姆(Ham)对金属晶体采用高温淬火、冷加工，特别是用 高能加速器提供的高能粒子辐照等方法引入空位 间 隙子，进而研究这些缺陷的本质，如形成能、迁移 能、相互结合能等。 195 1年美国贝尔实验室利用合金烧结掺杂生产出合金 结型锗晶体管，1954年生产出合金结硅晶体管，1956 年实现半导体中杂质扩散技术，生产出扩散结型晶体 管，1957年美国基尔比( ilby)发明集成电路。 晶体管 IC 的生产每一步都离不开对杂质缺陷的控 制：拉单晶(尽可能