半导体物理学第二章（2）.pdf

半导体物理学 戴伦 北京大学物理学院 1 主要参考书： 《半导体物理学（上册）》，叶良修； 高等教育出版社, 2007。 《半导体物理学》刘恩科，朱秉生，罗晋生； 电子工业出版社，2008。 2 教师联系方式: Tel: 60918 Email: lundai@ 办公室:物理大楼北331室 助教张琨联系方式: Tel: Email: zhangk@ 办公室:物理大楼北342室 3 课件、作业及通知： Ftp ：/pub/lundai 4 授课及学生成绩评定方法 • 老师讲授（含习题课） • 期末考试成绩占60%，期中考试成绩占40%。 5 主 要 内 容 • 常见半导体的性质 • 电子和空穴的平衡统计分布 • 输运现象 • 过剩载流子 • pn 结 • 半导体表面层和MIS结构 • 金属半导体接触和异质结 6 本课程的目的 • 学习半导体的基本物理知识，包括半导体中电 荷输运性质、载流子的平衡统计以及pn 结、 MIS结构、金-半接触和异质结等; • 熟练掌握载流子的平衡统计、pn 结、金-半接触 和异质结等多种接触的I- V特性，以及MIS结构 的能带图。 7 §2.1 导体、绝缘体和半导体 空带 导带 E 空带 } g } E g 价带 价带 非导体 导体 绝缘体 半导体 ρ ： 1014 ~1022 (Ωcm) 10－2 ~109 (Ωcm) 10－6~10－5 (Ωcm) 半导体：禁带宽度一般较窄：E 介于0.2 ~ 3.8 eV之间 g 常规半导体：如Si：E ~ 1.1eV ；Ge：E ~ 0.7 eV ； g g GaAs：Eg ~ 1.5 eV; CdS~2.6 eV 宽带隙半导体：如GaN~3.5 eV; ZnO~3.4 eV; ZnS~3.8 eV 绝缘体：禁带宽度一般都较宽，E 几个电子伏特