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功率快恢复二极管制造技术
发展简述
北京工业大学
功率半导体器件与功率集成电路研究室
亢宝位
2008年7月
前言
●功率快恢复二极管的地位
◆用途:续流;整流
◆市场份额:大于|GBT
功率M
世界:~25亿美金
MOS栅类(功率|G
25%
45%
IG
中国:~70亿元人民币
●我国生产现状:
晶闸管B∥3.1
占主流的高端产品几乎全部进口
我国研究现状:
◆研发几百至几十ns超快恢复二极管者鲜见
◆北京工业大学一直致力于超快恢复FRD和GBT研发
梗概
绪论:快恢复二极管的用途与对它的性能要求
快恢复二极管结构发展之一:PiN二极管结构发展
快恢复二极管结构发展之二:PiN/肖特基结合二
极管结构发展
四.过剩载流子寿命控制技术的发展
五.制造功率快恢复二极管的半导体材料的发展
六.我国快恢复二极管产业技术现状
七.结束语
绪论
快恢复二极管的用途
与对它的性能要求
1.快恢复二极管主要用途
主要是续流二极管(FWD)
其次是整流二极管
主要应用例一:
开关电源
v,|Ms管开关
控制器
D
降压电路
续流
主要应用例二:
电机调速
逆变电路
电机绕组(电感)
工作模式:开关
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