SOI_MOSFET抗辐射加固的常用方法与新结构.doc

器件制造与应用 ManufacturingandApplicationofDevice SOIMOSFET抗辐射加固的常用方法与新结构 何玉娟,刘洁,恩云飞,罗宏伟,师谦 (电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州510610) 摘要:SOICMOS技术存在许多优势,但由于存在厚的埋氧层,其总剂量效应反而比体Si器件更差,因此需进行总剂量抗辐射加固设计。对几种SOIMOSFET的栅氧、埋氧和场氧总剂量抗辐射加固的方法进行了对比较分析,指出了各自的优劣势,给出了研究方向。并对FLEXFET和4 G-FET三维SOI器件抗辐射加固新结构进行了阐述,分析了其优越性。 关键词:SOI;总剂量效应;FLEXFET;G4-FET 中图分类号:TN386 文献标识码:A 文章编号:1003-353X(2008)03-0223-04 CommonTechnologiesandNovelSOIMOSFETDeviceStructures forMinimizingTotalDoseRadiationDamage HeYujuan,LiuJie,EnYunfei,LuoHongwei,ShiQian (ChinaElectronicProductReliabilityandEnvironmentalTestingResearchInstitute, ResearchandAnalysisCenter,Guangzhou510610,China) Abstract:SOICMOStechnologyhasmanyadvantages,however,thethickburiedoxideinSOIsubstratesintroducesworsetotalionizingdose(TID)damagesthanitinbodySitransistors.SoTIDhardeneddesignsshouldbedoneinSOItransistorsandcircuits.AnalysisandcomparisonaremadeonsometechnologiesforSOIMOSFETdevicestructures,theadvantagesanddisadvantagesarediscussed,andtheresearchtrendispointedout.ExpoundofFLEXFETandG4-FETnewstructuresforminimizingtotaldoseradiationdamageareintroduced,andthesuperiorityisanalyzed. Keywords:SOI;tota-ldoseirradiationeffect;FLEXFET;G4-FET EEACC:2550R 0 引言 与传统的体Si集成电路相比,使用SOI材料制作的集成电路在抗单粒子效应(SEE)及高剂量率瞬态辐照方面具有显著的优势。SOI在顶层Si膜与Si衬底之间引入绝缘层作为介质隔离层,称为埋氧层。埋氧层一方面使器件的pn结面积减小,从而降低了其收集电离电荷的能力,另一方面也使埋层以下的衬底中的电离电荷不能进入器件的结区被收集。然而,埋氧层的存在却使SOI技术在总剂量电离辐射中并不比体Si结构占优势。SOI技术在总剂量电离辐射中的劣势将限制这种新兴技术在空间和军事领域的应用,为了解决这个问题,必须对 基金项目:国家重点实验室基金项目(9140C030604070C0304);国家基础科研项目(A0626270)March 2008 其进行抗总剂量辐照加固。 目前SOI材料、器件和电路的加固研究主要集中在栅氧、埋氧材料、正栅结构、设计BTS等方面,经过辐照加固后的SOI简单电路在辐照总剂量达到1Mrad(Si)后仍可正常运行。据文献[1]记载,三维结构加固的SOI器件抗总剂量辐照能力比未加固的器件高3~4个数量级。 1 SOIMOSFET抗辐射加固的几种常 用方法 111 栅氧 总剂量电离辐射在氧化物内和氧化物/Si界面处建立的陷阱电荷数量与氧化物的工艺和质量直接相关。有研究表明,栅氧中辐射诱生陷阱正电荷引起的阈值电压漂移量与栅氧层厚度成正比,即 $V=q@Ntraps@Tox/Eox SemiconductorTechnologyVol133No13 223 何玉娟 等:SOIMOSFET抗辐射加固的常用方法与新结构 当器件工艺进入亚微米或纳米级时,栅氧层减薄达到几纳米,栅氧层及其界面处俘获的电荷对影响器件性能作用不大,因此栅氧层加固可以使用薄栅(10nm),或在栅氧层中掺入一定的N,使悬挂键失去活性,从而减少栅氧层中的陷阱[1]。112 埋氧 埋氧是SOI器件和体Si器件的根本不同之处,因为总剂量电离辐射会在