热电阻式传感器58797.pptVIP

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⑷ 能量灵敏度 G ( W ) 使热敏电阻的阻值变化 1 %所需耗散的功率。 ⑸ 时间常数 τ 温度为 T 0 的热敏电阻突然置于温度 为 T 的介质中,热敏电阻的温度增量 Δ T = 0.63 ( T - T 0 ) 时所需的时间。 ⑹ 额定功率 P E 在标准压力( 750 mmHg )和规 定的最高环境温度下,热敏电阻长期连续使用 所允许的耗散功率,单位为 W 。在实际使用时, 热敏电阻所消耗的功率不得超过额定功率 100 ) / ( ? ? ? H G H C / ? ? 上一页 下一页 返 回 聚脂塑料封装热敏电阻 MF12 型 NTC 热敏电阻 玻璃封装 NTC 热敏电阻 MF58 型(珠形)高精度 负温度系数热敏电阻 贴片式 NTC 热敏电阻 热敏电阻外形 4. 热敏电阻的线性化 上一页 下一页 返 回 串联在热敏电阻中的 R 的最佳值 M H L H L H L M R R R R R R R R R 2 2 ) ( ? ? ? ? ? 6.2.3 热电阻式传感器的应用 1 、 金属热电阻传感器 - 200 ~ +500 ℃范围的温度测量 特点:精度高、适于测低温。 2 、 半导体热敏电阻传感器 应用范围很广,可在宇宙航船、医学、工业及家用电 器等方面用作测温、控温、温度补偿、流速测量、液 面指示等。 上一页 下一页 返 回 6.2 热电阻式传感器 ? 6.2.1 金属热电阻 ? 6.2.2 半导体热敏电阻 ? 6.2.3 热电阻式传感器的应用 上一页 下一页 返 回 ? 利用导体和半导体的电阻随温度变化的原理测温。 热电阻传感器分为金属热电阻和半导体热敏电阻两 大类。大多数金属在温度升高 1 ? C 时电阻将增加 0.4 %~ 0.6 %。但半导体电阻一般随温度升高而减 小,其灵敏度比金属高,每升高 1 ? C ,电阻约减小 2 %~ 6 %。热电阻广泛用来测量 -200~+850 0 C 范围 内的温度,少数情况下,低温可测量至 1K, 高温达 1000 0 C 。 ? 目前由纯金属制造的热电阻的主要材料是铂、铜和 镍,它们已得到广泛的应用。 热电阻温度计 6.2.1 金属热电阻 热电阻=电阻体(最主要部分)+绝缘套管+接线盒 作为热电阻的材料要求: 电阻温度系数要大,以提高热电阻的灵敏度; 电阻率尽可能大,以便减小电阻体尺寸; 热容量要小,以便提高热电阻的响应速度; 在测量范围内,应具有稳定的物理和化学性能; 电阻与温度的关系最好接近于线性; 应有良好的可加工性,且价格便宜。 使用最广泛的热电阻材料是铂和铜 上一页 下一页 返 回 表 热电阻的主要技术性能 1. 常用热电阻 ? ⑴ 铂热电阻 主要作为标准电阻温度计,广泛应用于温度 基准、标准的传递。 ? ⑵ 铜热电阻 测量精度要求不高且温度较低的场合,测量 范围一般为 ― 50 ~ 150 ℃ 。 上一页 下一页 返 回 ⑴ 铂热电阻 目前最好材料 长时间稳定的复现性可达 10 -4 K ,是目前测温 复现性最好的一种温度计。 铂电阻的精度与铂的提纯程度有关 0 100 ) 100 ( R R W ? 百度电阻比 W ( 100 )越高,表示铂丝纯度越高, 国际实用温标规定,作为基准器的铂电阻, W ( 100 ) ≥ 1.3925 目前技术水平已达到 W ( 100 )= 1.3930 , 工业用铂电阻的纯度 W ( 100 )为 1.387 ~ 1.390 。 上一页 下一页 返 回 铂丝的电阻值与温度之间的关系,即特性方程如下: 当温度 t 在- 200 ℃ ≤ t ≤0 ℃时: ] ) 100 ( 1 [ 3 2 0 t t C t B t A R R t ? ? ? ? ? 当温度 t 在 0 ℃ ≤ t ≤650 ℃时: ] 1 [ 2 0 t B t A R R t ? ? ? 国内统一设计的工业用标准铂电阻, W ( 100 ) ≥ 1.391 , R 0 分为 50Ω 和 100Ω 两种,分度号分别为 Pt50 和 Pt100 , 其分度表(给出阻值和温度的关系) 上一页 下一页 返 回 各种铂热电阻 附录 铂热电阻分度表 ⑵ 铜热电阻 ? 应 用: 测量精度要求不高且温度较低的场合 测量范围: ― 50 ~ 150 ℃ ? 优 点: 温度范围内线性关系好,灵敏度比铂电阻高,容易提 纯、加工,价格便宜,复制性能好。 ? 缺 点: 易于氧化,一般只用于 150 ℃以下的低温测量和没有水 分及无侵蚀性介质的温度测量。 与铂相比,铜的电阻率低,所以铜电阻的体积较大。 上一页 下一页 返 回 铜电阻的阻值与温度之间的关系为 ) 1 ( 0 t R R t ? ? ? 关系是线性的 工业上使用的标准化铜热电阻的 R 0 按

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