模拟电子技术(模电)模拟试题.docxVIP

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模拟电路 复习预习方法: 1、 掌握基本理论:二极管、三极管的特点和用途,反馈的定义、分类、判断,功率放大的 原理与分类,滤波器的基本原理,波形发生器的原理与能否起震的判断,直流电源的基 本原理及构成。 2、 掌握的计算:三极管放大电路的静态、动态分析,集成远放的相关计算,振荡电路频率 计算,直流电源的简单计算。 3、 除开本次提供的例题外同学们要重点复习预习课本习题。 习题一、半导体二极管及其应用 1.本征半导体中的自由电子浓度空穴浓度 a 大于 b 小于 c 等于 答案: C 2. 在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于 a 温度 b 材料 c 掺杂工艺 d 掺杂浓度 答案: B 3. 在掺杂半导体中,少子的浓度受的影响很大 a 温度 b 掺杂工艺 c 掺杂浓度 答案: C 在掺杂半导体中,多子的浓度越高,少子的浓度越 a 高 b 低 c 不变 答案: B 5 型半导体 a 带正电 b 带负电 c 呈中性 答案: C 温度升高 N 型半导体的电阻率将 a 增大 b 减小 c 不变 答案: C 当 结正向偏置时,耗尽层将 a 不变 b 变宽小于 c 变窄 答案: C 当环境温度升高时,二极管的正向电压将 a 升高 b 降低 c 不变 答案: b ?9. 当环境温度升高时,二极管的死区电压将 a 升高 b 降低 c 不变 答案: b 当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流将 a 增大 b 减小 c 不变 答案: a 二极管的正向电压降一般具有温度系数 a 正 b 负 c 零 答案: b 确保二极管安全工作的两个主要参数分别是和 a b c 答案:c 理想二极管的主要性能指标为 a 00, b =0.3V , 0 c =0.5V , 答案:a 13.稳压管通常工作于,来稳定直流输出电压 a截止区b正向导通区c反向击穿区 答案:c 对于稳定电压为10V的稳压管,当环境温度升高时,其稳定电压将 a升高b降低c不变 答案:c 二极管的反偏电压升高,其结电容 a增大b减小c不变 答案:b 二极管正向偏置时,其结电容主要是 a势垒电容b扩散电容c无法判断 答案:b 锗二极管的死区电压约为 答案:a a 0.1V b 0.2V c 0.3V 硅二极管的完全导通后的管压降约为 a 0.3V b 0.5V c 0.7V 答案:c 由二极管的伏安特性可知,二极管的管压降越高,二极管的电阻越 a大b小c不变 答案:b 22.已知二极管的静态工作点 和,则二极管的静态电阻为 a b c 答案:a 24. 一个硅二极管在正向电压 0.6V时,正向电流10。若 增大到0.66V ,则电流约 为 a 11 b 20 c 100 答案:c 在上题图示电路中,若8V,当温度为10C时测得二极管的管压降为 =0.7V,当温度 上升到40 C时,则大小为 a =0.7V b 0.7V c 0.7V 答案: 在本征半导体中加入—元素可形成N型半导体,加入—元素可形成P型半导体。 A.五价B.四价C.三价 答案:A , C 当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 _。 A.增大B.不变C.减小 答案:A 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为 P型半导体。()答案:“ 因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( ) 答案:X 31结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( 答案:“ 32结加正向电压时,空间电荷区将 _。 A.变窄B.基本不变C.变宽 答案:A 设二极管的端电压为 U,则二极管的电流方程是 A. B.?「C. J — 答案:C 稳压管的稳压区是其工作在 _。 A.正向导通B.反向截止C.反向击穿 答案:CI粉O— 答案:C I粉 O— o + ft + 图 pi.ii 电路如图P1.11 (a)、 (b)所示,稳压管的稳定电压= 3V, R的取值合适,的波形如图 (c)所示。试分别画出 1和2的波形。 解:波形如解图P1.11所示 w/V 3 / f V ! 0 3 L — A / 0 I 3 0 7 解图P1.11 在以下四种整流或滤波电路中,负载时输出电压最低的是( ),二极管承受冲击电流最 高的是(),承受反向电压最高的是( );输出电压脉动最小的是( )。 A.单相半波整流电路; B.单相桥式整流电路; C.单相半波整流、电容滤波电路; D.单相桥式整流、电容滤波电路 答案: 纯净的半导体叫_半导体。掺入3价杂质元素形成的半导体叫 _型 半导体,它主要靠_导 电。 答案:本征,P (空穴),空穴 38结正向偏置是指 P区接电源的—极、N区接电源的_极。这时多子的 运动较强,结厚度变 ,结电阻较。 答案:正,负,扩散,薄,小 设二极管D1、D2为理想二极管,判断它们在图 1中是导通还是截止? _输出电压=. Uo Uo

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