模电(第四版)习题解答47219.docxVIP

模拟电子技术基础 第四版 清华大学电子学教研组 编 童诗白华成英主编 自测题与习题解答 -可编辑修改- 目录 第1章 第2章 第3章 第4章 第5章 第6章 第7章 第8章 第9章 第10 章 常用半导体器件 ????3…… 基本放大电路 ????14 ??… 多级放大电路 ???31…… 集成运算放大电路 41?… 放大电路的频率响应 50 ?? 放大电路中的反馈 60… 信号的运算和处理 ……74 - 波形的发生和信号的转换… 90 功率放大电路 ????114 ?… 直流电源 126 第1章常用半导体器件 自测题 一、 判断下列说法是否正确，用 乂和 V”表示判断结果填入空内。 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素， 可将其改型为P型半导体。(V ) TOC \o 1-5 \h \z 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 (X ) PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。 (V ) 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 (X ) 结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保 证其Rgs大的特点。(V ) 若耗尽型N沟道MOS管的Ugs大于零，则其输入电阻会明显变小。 (X ) 二、 选择正确答案填入空内。 PN结加正向电压时，空间电荷区将 _A_。 A.变窄 B.基本不变 C.变宽 稳压管的稳压区是其工作在 _C_。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 _B_。 A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 Ugs=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 .A_、C_。 A.结型管 B.增强型MOS管 C.耗尽型MOS管 、写出图TI.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压 Ud=0.7V。 图 T1.3 解：Uoi=1.3V, Uo2=0V, Uo3=-1.3V, Uo4=2V, Uo5 = 1.3V, Uo6=-2V。 四、已知稳压管的稳压值 Uz=6V,稳定电流的最小值 lzmin=5mA。求图TI.4所示电 路中Uoi和Uo2各为多少伏。 ■o + 500 10VzknQ 110V 10V zknQ 1 10V 2k 110 (b) T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态，故 Uoi =6V。 右图中稳压管没有击穿，故 Uo2=5V。 五、电路如 图 T1.5 所示，Vcc=15V, 一：=100, Ube=0.7V。 试问: ⑴Rb=50k「」时，Uo=? (2)若T临界饱和，贝U Rb=? 解: (1) I^Vbb Ube =26」A, Rb lc f?lB=2.6mA, -o+q图 T1.5⑵?- IcsVCC U BERc=2.86mA ,I -o + q 图 T1.5 ⑵?- Ics VCC U BE Rc =2.86mA , Ibs “cs/ 一 28ZA VBB -U be I BS 45.5k1 六、测得某放大电路中三个 MOS管的三个电极的电位如 表Tl.6所示，它们的开启 电压也在表中。试分析各管的工作状态（截止区、恒流区、可变电阻区） ，并填入表 内。 表 T1.6 AvV 口 吕号 U GS(th)/V Us/V Ug/V Ud/V 工作状态 T1 4 -5 1 3 恒流区 T2 -4 3 3 10 截止区 T3 -4 6 0 5 可变电阻区 解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型 MOS管。根据表中所示 各极电位可判断出它们各自的工作状态，如 表TI.6最后一栏所示。 习题 1.1选择合适答案填入空内。 （1） 在本征半导体中加入（A ）元素可形成N型半导体，加入（C ）元素可形成P型半导 体。 A.五价 B.四价 C.三价 （2） 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 （A）。 A.增大 B.不变 C.减小 （3） 工作在放大区的某三极管， 如果当Ib从12 uA增大到22 uA时，lc从ImA变为 2mA，那么它的B约为（C ）。 A.83 B.91 C.100 ⑷当场效应管的漏极直流电流 Id从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将（A ）。 A.增大； B.不变； C.减小 1.2电路如图P1.2所示，已知Ui =10sin「t（V）,试画出Ui与Uo的波形。设二 极管导通电压可忽略不计。 -+L)图 P1.2解图 -+ L) 图 P1.2 解图P1.2 解：Ui与Uo的波形如解图Pl.2所示。 1.3电路如图P1.3所示，已知ui=5sin「t(V)，二极管导通电压 Ud=0.7V。试 画出5与U。的波形图，并标出幅值。 解图P1.3 解图P1.3 解：波形如解图Pl.3所示。 1.4电路如图