材料显微结构剖析7X光化学剖析.pptVIP

材料显微结构分析 X光化学分析  分析理论基础及方法 理论基础:莫塞莱定率 hu=k(z-o) h: plank常数 即λ∝ K:与马德堡常数有关 屏蔽常数 常用K系Z≤35L系Z≥35  XRE EPMA ■激发源:一次xRay e束 试样:不必导电,液体可导电或镀膜 照射区域: 大面积 微区 检测范围:F9—U9(C6) Be4-U92 ■灵敏度:相对较高,几一几相对较低,几百 十ppm;绝对较低。ppm;绝对较高 10-13-10-14g 含量限制:微量到百分之百少量到百分之百 定量分析: 可,必须校正 展谱方式: WDS或EDS  分光(展谱)原理 无论是原激发或次激发均同时激出 试样中已有元素的特征X线,必须分光 两种展谱方式 1. WDS: Wave Dispersive Spectroscopy 利用波动性x逐一展谱 2. EDS: Energy Dispersive pectroscopy 利用粒子性hv同时展谱  二.WDS分光 探测器G 原理: x光管p1 利用Bg方程。束Q20 2 d sin e=见 分光晶体 EPMA与XRF的 WDS分光原理相同, 均用 Bragg方程, 但几何布置有区别。