讲义螺线管磁场.pdfVIP

霍尔效应法测定螺线管 轴向磁感应强度分布 置于磁场中的载流体，如果 电流方向与磁场垂直，则在垂直于 电流和磁场的方向 会产生一附加的横向电场，这个现象是霍普斯金大学研究生霍尔于 1879 年发现的，后 被称为霍尔效应。随着半导体物理学的迅速发展，霍尔系数和电导率的测量已成为研 究半导体材料的主要方法之一。通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以 判断材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。若能测量霍尔系数和 电导率随温度变化的关系，还可以求出半导体材料的杂质电离能和材料的禁带宽度。 如今，霍尔效应不但是测定半导体材料 电学参数的主要手段，而且随着电子技术的发 展，利用该效应制成的霍尔器件，由于结构简单、频率响应宽（高达 10GHz）、寿命长、 可靠性高等优点，已广泛用于非电量测量、自动控制和信息处理等方面。在工业生产 要求自动检测和控制的今天，作为敏感元件之一的霍尔器件，将有更广阔的应用前景。 了解这一富有 用性的实验，对日后的工作将有益处。 一、实验目的 1 ．掌握测试霍尔元件的工作特性。 2 ．学习用霍尔效应法测量磁场的原理和方法。 3．学习用霍尔元件测绘长直螺线管的轴向磁场分布。 二、实验原理 1．霍尔效应法测量磁场原理 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。 当带电粒子（ 电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的 方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场。对于图（1）（a）所 示的 N 型半导体试样，若在 X 方向的电极 D、E 上通以电流 Is，在 Z 方向加磁场 B，试 样中载流子（ 电子）将受洛仑兹力 F  evB g （1） 其中 e 为载流子（ 电子）电量， 为载流子在 电流方向上的平均定向漂移速率，B 为 磁感应强度。 无论载流子是正 电荷还是负电荷，洛仑兹力F 的方向均沿Y 方向，在此力的作用 g 1 下，载流子发生便移，则在 Y 方向即试样 A 、A´ 电极两侧就开始聚积异号电荷而在试 样 A 、A´两侧产生一个电位差 V ，形成相应的附加电场E —霍尔电场，相应的电压V H H H 称为霍尔电压，电极 A 、A´称为霍尔电极。 电场的指向取决于试样的导电类型。N 型半 导体的多数载流子为电子，P 型半导体的多数载流子为空穴。对 N 型试样，霍尔电场 逆 Y 方向，P 型试样则沿 Y 方向，有 EH 0 （N 型） Is(X ),B (Z ) EH 0 （P型） 显然， 该电场是阻止 载流子继续向侧面偏移， （a） （b） 试样中载流子将受一个与 图（1）样品示意图 F 方向相反的横向 电场力 g FE  eEH （2） 其中 EH 为霍尔电场强度。 FE 随电荷积累增多而增大，当达到稳恒状态时，两个力平衡，即载流子所受的横 向电场力 e EH 与洛仑兹力e VB 相等，样品两侧电荷的积累就达到平衡，故有 eEH  e VB （3） 设试样的宽度为 b ，厚度为 d，载流子浓度为 n ，则电流强度 I 与的V 关系