外延薄膜中缺陷.ppt

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2020-07-21 发布于福建
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第九章外延薄膜中的缺陷多晶薄膜:薄膜由大量微小晶体(晶粒)组成单晶薄膜:薄膜中的全部原子或分子呈规则排列。外延薄膜:在单晶基片上,生长出的单晶薄膜与基片保持一定的晶体学取向关系。(薄膜和衬底材料之间晶格的连续过渡) dHSiC(111)//Si(111); Ag(001)//NaCI(001) 同质外延生长,异质外延生长标记:(HKL(hk)[ UVW/uvw (001)Ni/(001)Cu;[100]Ni/[100]Cu (1Il)PbTe//(lIlMgAL2 O4: [211]PbTe//[1o1MgAL2O4 失配度f=(a4-an)/ 都是面内晶格常数公度失配:f=(na-mn2)/ma GaAs(001)a0=0.5654nmFe(O01)a=02866nm ∫=(0.5654-20.2866/(20.2866=-1.38% (110)Fe//(110 GaAs: [ Fe//[100 JGaAs I10 (101)β-FeSi2//lIsi:010β Fesi2[010) FeSi,//[-110JSi β-FeSi2:a=9.86,b=7.79,c=788 (100-eSi(100Si:01013- FeSi,//losi Those planes and directions which give the best lattice fit often, but certainly not always, determine the film-substrate orientation GHOWTH PLANE SUBSTRATE (1 +f)I cos a= cos(a -Aa) Tilted-Layer Epitaxy (《 Graphoepitaxy