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微电子工艺学
Microelectronic Processing
第四章掺杂原理与技术
张道礼教授
Emailzhang-daoli@163.com
Voice 4.1掺杂
掺杂( doping):将一定数量和一定种类的杂质
掺入硅中,并获得精确的杂质分布形状( doping
profile)
NMos Gate. Poly-si
BJT
ide
Source
As
掺杂应用: MOSFET:阱、栅、源/漏、沟道等
BJT:基极、发射极、集电极等
4.1掺杂
目的:改变晶片电学性质,实现器件和电路纵向结构
方式:扩散( diffusion)、离子注入( ion implantation)、
合金、中子嬗变
Silicide
出手
基本概念:结深x( Junction Depth);薄层电阻R。
( Sheet Resistance);杂质同溶度( Solubilit
4.1掺杂
高温扩散:一直到20世纪70年代,杂质掺杂主要是由
高温的扩散方式来完成,杂质原子通过气相源或掺杂
过的氧化物扩散或淀积到硅晶片的表面,这些杂质浓
度将从表面到体内单调下降,而杂质分布主要是由高
温与扩散时间来决定
离子注入:掺杂离子以离了束的形式注入半导体内
杂质浓度在半导体内有个峰值分布,杂质分布主要由
离子质量和注入能量决定。
扩散和离子注入两者都被用来制作分立器件与集成电
路,因为二者互补不足,相得益彰。例如,扩散可用
于形成深结( deep junction),如CMOS中的双阱twin
wel;而离子注入可用于形成浅结( shallow junction)
如 MOSFET屮的漏极与源极
4.1掺杂
ions
Mask
C
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