雪崩二极管和光电三极管.pptVIP

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前〓管 APD for Avalanche photodiode 简介 光电二极管灵敏度有限 ■人们希望在不适用外部放大电路的条 件下通过改造器件本身来提高灵敏度 P(N) 简介 4一 雪崩光电二极管是利用二极管在高的反向偏压 下发生雪崩倍增效应而制成的光电探测器。 这种器件有电流内增益,一般硅 或锗雪崩光电二极管电流内增益可达 简介 102--103,灵敏度高,响应速度快 在超高频的调制光照射下仍有很显著的 增益。 光电流增益的大小用倍增因子G表 示,G随反向偏压V的变化可用下面的 经验公式近似表示 其中U为击穿电压 雪崩过程伴有一定噪声 (in)=G(2gIoAfG) 问题

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