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电力电子习题 答案 第一章 电力电子器件 1、使晶闸管导通的条件是什么？ 答：晶闸管阳极与阴极之间加有正向偏压，门极有触发电流的情况下晶闸管可以导通。 2、维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：晶闸管阳极与阴极之间加有正向偏压，门极有触发电流后可撒去晶闸管的门极控制，晶闸管内部有正反馈维持器件饱和导通。如想要关断晶闸管只能利用外加反向阳极电压，也可以使阳极电流降低到某一数值（Ih维持电流），也可增加负载电阻降低阳极电流，使其接近于零。 1.4 典型全控型器件 1.4.1 门极可 1、画出门极可关断晶闸管的图形符号，标出在三个极性。 2、门极可关断晶闸管与普通晶闸管的差异？ 结构： 与普通晶闸管的相同点： PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极。 和普通晶闸管的不同点：GTO是一种多元的功率集成器件。 区别： 设计a2较大，使晶体管V2控 制灵敏，易于GTO。 导通时a1+a2更接近1，导通时接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降增大。 多元集成结构，使得P2基区横向电阻很小，能从门极抽出较大电流。 结论： GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅。 GTO关断过程中有强烈正反馈使器件退出饱和而关断。 多元集成结构还使GTO比普通晶闸管开通过程快，承受di/dt能力强 。 3、标志GTO管额定电流的参数是什么？ 最大可关断阳极电流IATO 4、电流关断增益的含义是什么？ ——最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值IGM之比称为电流关断增益。 boff一般很小，只有5左右， 1.4.2 电力晶体管 1、电力晶体管的英文简写为什么？图形符号是什么？ 耐高电压、大电流的双极结型晶体管。 2、电力晶体管的三个工作状态分别是什么？PN结的偏置情况如何？ 放大：发射结正偏，集电结反偏 饱和导通：发射结正偏，集电结正偏 截止：发射结反偏，集电结反偏 3、的二次击穿现象是什么？GTR管安全工作区在哪几条线的包含范围内？ 一次击穿发生时，Ic突然急剧上升，电压陡然下一降。 常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变 。 1.4.3 电力场效应管 1、电力场效应管电力晶体管的英文简写为什么？图形符号是什么？ 答：MOSFET 图形符号是: 2、电力MOSFETR的二个显著特点是什么？ 答：1）驱动电路简单、驱动功率小 2）开关速度快，工作频率高。 3、电力MOSFETR管的工作的三个工作区名称是什么？对应GTR管的的什么工作区？ 截止区 （对应于GTR的截止区） 饱和区 （对应于GTR的放大区） 非饱和区 （对应GTR的饱和区 4、MOSFET的优点： ——单极型，电压驱动，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单。 的英文简写为什么？图形符号是什么？ 2、IGBT的原理 导通：uGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。 通态压降：电导调制效应使电阻RN减小，使通态压降减小。 关断：栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。 IGBT的特性和参数特点可以总结如下： 开关速度高，开关损耗小。 相同电压和电流定额时，安全工作区比GTR大，且 具有耐脉冲电流冲击能力。 通态压降比VDMOSFET低。 输入阻抗高，输入特性与MOSFET类似。 与MOSFET和GTR相比，耐压和通流能力还可以进一步提高，同时保持开关频率高的特点 。 外因过电压和内因过电压 外因过电压：主要来自雷击和系统操作过程等外因 内因过电压：主要来自电力电子装置内部器件的开关过程 2、防止过电压的主要措放有哪些？ 避雷器、变压器静电屏蔽层、静电感应过电压抑制电容、过电压抑制用RC电路、RC2?阀侧浪涌过电压抑制用反向阻断式RC电路、RV?压敏电阻过电压抑制器、RC3?阀器件换相过电压抑制用RC电路、过电压抑制用RCD电路 3、防止过电流的主要措放有哪些？ 交流断路器、快速熔断器、直流快速断路器、过电流继电器、短路器、电子保护电路、 缓冲电路(Snubber Circuit) ： 又称吸收电路，抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。 关断缓冲电路（du/dt抑制电路）——吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制du/dt，减小关断损耗。 开通缓冲电路（di/dt抑制电路）——抑制器件开通时的电流过冲和di/dt，减小器件的开通损耗。 、 第五章 逆变电路 5.1把直流电变成交流电称为逆变。当交流侧接有电源时，称为有源逆变。池交流侧和负载连接时，称为无源逆变。 5.2 换流：变流电路在工作过程中不断发生电流从一个支路