2019年半导体膜厚缺陷测试技术.pptVIP

现代半导体器件物理与工艺 桂林电子科技大学 测量学和缺陷检查 31 A 现代半导体器件物理与工艺 桂林电子科技大学 测量学和缺陷检查 32 现代半导体器件物理与工艺 桂林电子科技大学 测量学和缺陷检查 33 台阶覆盖 硅片制造中形成表面形貌，因此取得好的台阶覆盖能力是材料的必要特 征（见图）。良好的台阶覆盖要求有厚度均匀的材料覆盖于台阶的全部 区域，包括侧墙和拐角。 现代半导体器件物理与工艺 桂林电子科技大学 测量学和缺陷检查 34 一种高分辨率带触针的非破坏性形貌仪常用来测量台阶覆盖和硅片表面 的其他特征。这种自动化表面测量仪器使用一根触针加以低至 0.05mg 的 力接触硅片表面，轻轻地绘出硅膜形貌图而不损伤硅片表面（见图）。 触针通常有半径 0.1um 的金刚石尖，永久了的针尖半径可达到 12.5um 。 当前，形貌仪可以以 7.5? 的步长高度重复测量硅片上 0.1um 的细小特征。 现代半导体器件物理与工艺 桂林电子科技大学 测量学和缺陷检查 35 套准精度 套准精度是用在光刻工艺之后，测量光刻机和光刻胶图形与硅片前面刻 蚀图形的套刻的能力。随着特征尺寸的缩小，套刻标记的容差减小，掩 膜板上的图形标记与硅片上的对准成为挑战。化学机械平坦化（ CMP ） 的使用在硅片上产生了对比度很小的图像，这些图像难以分辩。这种情 况使得硅片与掩膜板的对准更加复杂（见图）。 现代半导体器件物理与工艺 桂林电子科技大学 测量学和缺陷检查 36 电容－电压（ C － V ）测试 MOS 器件的可靠性高度依赖于栅结构中高质量的氧化薄层。栅氧化区域 的沾污可能导致正常的阈值电压的漂移，导致器件失效。可动离子沾污 （ MIC ）和其他不希望的电荷状况可以在氧化工艺步骤后用电容－电压测 试进行检测。通常做 C － V 特性以检测氧化步骤之后的离子污染。另外， C － V 特性测试提供了栅氧化层完整性的形（ GOI ），包括介质厚度、介 电常数（ k ）、电极之间硅的电阻率（表征多数载流子的浓度）以及平带 电压。 现代半导体器件物理与工艺 桂林电子科技大学 测量学和缺陷检查 37 理解栅氧特性的理想模型是平行板电热器。在 C － V 测试时，氧化层和硅 衬底等效为串联电容（见图）。 现代半导体器件物理与工艺 桂林电子科技大学 测量学和缺陷检查 1 测量学和缺陷检测 现代半导体器 件物理与工艺 Physics and Technology of Modern Semiconductor Devices 2004,7,30 现代半导体器件物理与工艺 桂林电子科技大学 测量学和缺陷检查 2 测量学和缺陷检测 从硅片制造的最初阶段就开始进行检查。半导体生产的熟练工人在简单 观察硅片表面的氧化物薄膜后就能预测相应的薄膜厚度。无论氧化薄膜 出现何种色泽，都可以与比色表对比，比色表时由每种色泽相结合的不 同膜厚的一片片硅片组成的。 硅片工艺流程的检查技术经历了重大的改变。特征尺寸不断缩小，现在 缩小到 0.25um 以下。同时，在硅片上的芯片密度不断增加。每一步都 决定着成功还是失败的关键问题：沾污、结深、薄膜的质量等。另外， 新材料和工艺的引入都会带来芯片失效的新问题。测量对于描绘硅片的 特性与检查其成品率非常关键。 为了维持良好的工艺生产能力并提高器件的特性，硅片制造厂已提高了 对工艺参数的控制，并减少了在制造中缺陷的来源。 现代半导体器件物理与工艺 桂林电子科技大学 测量学和缺陷检查 3 测量学是关于确定尺寸、数量和容积的测量的科学。测量学指的是在工 艺流程中为了确定硅片的物理和电学特性的技术与过程。用于制造中的 测量学使用测试设备和传感器来收集并分析关于硅片参数和缺陷的数据。 缺陷是指导致不符合硅片规范要求的硅片特性或硅片制造工艺的结果。 硅片的缺陷密度是指硅片表面单位面积的缺陷数，通常以 cm2 为单位。硅 片缺陷按类型和尺寸来划分。制造人员应用测量学以确保产品性能，并 做出关系到改善工艺性能的有意义的决定。 对硅片性能的精确评估必须贯穿于制造工艺，以验证产品满足规范要求。 要达到这一点，在硅片制造的每一工艺步骤都有严格的质量测量，为使 芯片通过电学测试并满足使用中的可靠性规范，质量测量定义了每一步 需求的要求。质量测量要求在测试样片或生产硅片上大量收集数据以说 明芯片生产的工艺满足要求。 现代半导体器件物理与工艺 桂林电子科技大学 测量学和缺陷检查 4 集成电路测量学 集成电路测量学使测量制造工艺的性能以确保