BST频率可调滤波器专题.pptVIP

微波可调 谐 器 件 工作频率或带宽阻抗等参数可受外界因素（比如机械 力场、电场磁场等）调控的微波器件，包括可变电容 谐振器滤波器、移相器、延迟线、压控振荡器、阻抗 匹配网络等。 铁电薄膜材料（ BST ）的优点 1. 高介电常数（ 10 2 ~10 3 ） 2. 小型化的器件 3. 高可调谐率（可达 90% 以上） 4. 调谐速度快（纳秒级） 5. 铁电居里温度可调节 6. 消耗功率低 7. 工艺与半导体工艺兼容 位移型铁电体 BST 属于位移型铁电体 , 对应的是位移型相变 , 即由于 原子的非谐振动 , 其平衡位置相对于顺电相可以 发生 偏移 , 从而导致自发极化 。 BST 是典型的钙钛矿结构。 钙钛矿结构 BST 薄膜制备 CPL 技术：采用高功率的准分子激光器或 CO 2 激 光器产生脉冲 激光束照射靶材烧蚀剥离出分子 或分子团并沉积在加热的衬底基片上形成薄膜 。 BST 薄膜性能的优化 FOM 为品质因子，衡量材料的综合介电性能 该式表明可调微波器件用的铁电材料在介电性能 方面必须同时具有尽可能大的介电调谐率以及尽 可能小的介电损耗。 掺杂 对 BST 薄膜的掺杂研究通常是为了获得更低的介电损 耗和漏电流。掺杂离子占据 B 位，成为受主掺杂。可 以中和氧空位的施主行为，减小 BST 薄膜中的电子浓 度，增 大 BST 薄膜 / 电极界面的肖特基势垒高度或者 增大耗尽层宽度促使肖特基电子发射电流或者隧穿电 流减小。 组分梯度变化多层膜 构造组分梯度变化的 BST 多层薄膜可以获得比组分均 匀的 BST 单层薄膜大近 3 倍的介电调谐率。具有组分 梯度变化的 BST 多层薄膜的介电性能具有更佳的温度 稳定性，可在更宽的温度范围内同时具有高的调谐率 和低的介电损耗。 纳米铁电多层薄膜 利用合适的衬底控制薄膜的厚度改变薄膜的应变 可 提高外延薄膜的铁电居里温度和极化强度。铁电超晶 格或纳米铁电多层薄膜存在薄膜 / 衬底、薄膜 / 薄膜 等界面介电铁电增强效应十分明显。纳米铁电多层薄 膜可采用几十纳米的层厚，因而制备纳米铁电多层薄 膜不需要复杂的设备，工艺简单，可适用于规模化生 产。 新型介电薄膜材料 Bi 2 O 3 -ZnO-Nb 2 O 5 （ BZN ）薄膜也具有介电常数随电 场非线性变化的特性。其具有典型的绿石型相结构。 新型介电薄膜材料 BZN 的突出优点是即使在微波波段损耗依然很低。 BNZ 薄膜的温度系数也较低 , 而且不同组分的 BNZ 薄 膜分别具有正的、负的温度系数 , 通过构造多组分多 层膜有可能得到温度系数接近零的介电薄膜 , 在微波 领域有很好的潜在应用前景 。