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全国普通高等中医药院校药学类专业“十三五”规划教材(第二轮规划教材)
仪器分析
供药学类、中药学类、制药工程及相关专业使用
中国医萄科技出版社
O中图萄科技出版社
第七章核磁共振氢谱
目录
第二节化学位移
、化学位移的产生
化学位移标准物质和化学位移的表示
、影响化学位移的因素
四、不同类型质子的化学位移
忠国医药科技出版甚
、化学位移的产生
化合物中处于不同环境的氬核,所吸收的电磁液频率有微小的差
别,因为H原子核并非“裸露的”核,其核外均有电子包围,而核外
电子在与外加磁场垂直的平面上绕核旋转同时将产生一个与外加磁场
相对抗的感生磁场。结果对于H核来说,等于增加了一个免受外加磁
场影响的防御措施,这种作用称为电孑的屏蔽效应( shielding
effect)。
忠国图科技出版甚
、化学位移的产生
◆分孑中处于不同化学环境(价键的类型、诱导、共轭等效应不同
)的同种磁性核,由于其外围电子云分布的不同,因而受到不同程度
的屏蔽效应作用(o不同,但σ1),使同种磁性核的不同自旋体系的
共振条件暗有差异,即产生化学位移
B,(l-o
2丌
◆σ为屏蔽常数,它的大小与被周围电子云屏蔽的程度成正比
忠国图科技出版甚
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