用vasp计算硅的能带结构.docVIP

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2020-07-27 发布于河北
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用vasp计算硅的能带结构.doc

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用vasp计算硅的能带结构在最此次仿真之前，因为从未用过vasp软件，所以必须得学习此软件及一些能带的知识。vasp是使用赝势和平面波基组，进行从头量子力学分子动力学计算的软件包。用vasp计算硅的能带结构首先要了解晶体硅的结构，它是两个嵌套在一起的FCC布拉菲晶格，相对的位置为 (a/4,a/4,a/4), 其中a=5.4A是大的正方晶格的晶格常数。在计算中，我们采用FCC的原胞，每个原胞里有两个硅原子。 VASP计算需要以下的四个文件：INCAR（控制参数）, KPOINTS（倒空间撒点）, POSCAR（原子坐标）, POTCAR（赝势文件）为了计算能带结构，我们首先要进行一次自洽计算，得到体系正确的基态电子密度。然后固定此电荷分布，对于选定的特殊的K点进一步进行非自洽的能带计算。有了需要的K点的能量本征值，也就得到了我们所需要的能带。步骤一.—自洽计算产生正确的基态电子密度：以下是用到的各个文件样本:INCAR 文件：SYSTEM = SiStartparameter for this run:?? NWRITE =????? 2;?? LPETIM=F??? write-flag timer?? PREC?? = medium??? medium, high low?? ISTART =????? 0??? job?? : 0-new 1-cont 2-samecut?? ICHARG =????? 2?? charge: 1-file 2-atom 10-const?? ISPIN =????? 1??? spin polarized calculation? Electronic Relaxation 1?? NELM?? =???? 90;?? NELMIN= 8; NELMDL= 10???? # of ELM steps?? EDIFF = 0.1E-03?? stopping-criterion for ELM?? LREAL = .FALSE.???? real-space projection Ionic relaxation?? EDIFFG = 0.1E-02?? stopping-criterion for IOM?? NSW??? =????? 0??? number of steps for IOM?? IBRION =????? 2??? ionic relax: 0-MD 1-quasi-New 2-CG?? ISIF?? =????? 2??? stress and relaxation ?? POTIM =?? 0.10??? time-step for ionic-motion?? TEIN?? =??? 0.0??? initial temperature?? TEBEG =??? 0.0;?? TEEND =?? 0.0 temperature during run DOS related values:?? ISMEAR =??? 0 ;?? SIGMA =?? 0.10 broadening in eV -4-tet -1-fermi 0-gaus Electronic relaxation 2 (details) Write flags?? LWAVE =????? T??? write WAVECAR?? LCHARG =????? T??? write CHGCARVASP给INCAR文件中的很多参数都设置了默认值，所以如果你对参数不熟悉，可以直接用默认的参数值。比如在这个例子中，下面的比较简单的INCAR 文件也可以完成任务:SYSTEM = SiStartparameter for this run:?? PREC?? = medium??? medium, high low?? ISTART =????? 0??? job?? : 0-new 1-cont 2-samecut?? ICHARG =????? 2?? charge: 1-file 2-atom 10-const?? EDIFF = 0.1E-03?? stopping-criterion for ELM?? NSW??? =????? 0??? number of steps for IOM?? IBRION =????? 2??? ionic relax: 0-MD 1-quasi-New 2-CG?? ISIF?? =????? 2??? stress and relaxation KPOINT文件:我们采用自动的Monkhorst-Pack K点撒取方式。对于类似于硅晶体的半导体材料，通常 4x4x4 的K点网格就够了