chap.6 硅的晶体生长.ppt

6章 硅的晶体生长;1 引言 2 直拉法(CZ法)制备单晶硅 3 MCZ工艺 4 悬浮区熔法(FZ法)制备单晶硅工艺 5多晶硅铸锭制备技术 6 掺杂工艺 ;1引言 单晶硅的制备按晶体生长方法的不同，分为直拉法(CZ:Czochralski) 、悬浮区熔法(FZ:Float Zone）和外延法。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材，外延法生长单晶硅薄膜。半导体工业上大约超过75％的单晶硅锭是由CZ法制备的，1952年Teal和Buehler首次报道了CZ法制备硅单晶，Dash首次介绍了无位错单晶硅锭的生长技术。 直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。目前晶体直径可控制在Φ3~8英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。晶体直径可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成电路领域。;目前，拉制单晶硅棒有CZ法（坩埚拉制）和区熔法两种。CZ法因使用石英坩埚而不可避免地引入一定量的氧，对大多数半导体器件来说影响不大，但对高效太阳电池，氧沉淀物是复合中心，从而降低材料少子寿命。区熔法可以获得高纯无缺陷单晶。 直拉法比用区熔法更容易生长获得较高氧含量(12～14 mg/kg)和大直径的硅单晶棒。根据现有的工艺水半，采用直拉法已可生长出6～18in(150～450 mm)的大直径硅单晶棒。1979年国外研制、生产出直径150 mm(6in)；1986年国外研制、生产出直径200mm(8in)；1996年国外研制、生产出直径300mm(12in)；1998年国外研制出直径400 mm(16 in)；2000年后国外已研制出直径450 mm(18in)。目前，采用区熔法虽说已能生长出最大直径是200mm(8in)的硅单晶棒。但其主流产品却仍然还是直径100～150mm(4～6in)的硅单晶。;2 直拉法(CZ法)制备单晶硅 直拉法(CZ:Czochralski)制备单晶硅是Czochralski于1918年发明的，直拉法是半导体单晶生长用的最多的一种晶体生长技术。目前太阳电池市场主要是由CZ硅和多晶硅组成，这是因为CZ硅具有下列的优势： （1）不同形状不同掺杂的多晶硅原料均适合CZ直拉硅生长，这样可使光伏产业能够购买性价比高的多晶硅原料生产太阳电池。由于多晶硅原料的熔化是在坩埚中完成的，不同形状、不同电阻率、???同晶粒大小的原料可以混合。 （2）CZ拉单晶过程是一个提纯过程，对于载流子寿命有影响的杂质可以通过CZ拉单晶并结合吸杂等技术去除。同时，CZ也是一个质量控制的过程。 （3）CZ法具有成熟、低成本等特点。设备和工艺很成熟，一个操作工人可以操作几台机器。 ;2.1原理： 拉单晶是一个熔化再结晶，由多晶转变成单晶的凝固过程。在理想的无限缓慢的过程中,熔体和晶体的温度是不变的,形成一个固、液共存的状态。 熔体温度是否和结晶界面温度相等? ;过冷和过冷度: 结晶过程按一定速度进行结晶的情况下,结晶界面附近的温度必须低于熔点温度,否则结晶将是一个非常缓慢的过程,从而结晶难以进行下去.这种低于熔点的温度下进行结晶的状态称为“过冷”。 过冷的温度与熔点的温度差△T，称为过冷度。结晶速度越快，要求“过冷度”越大。 晶核的产生： 结晶过程由两个环节构成：晶核的产生和晶体的长大。;晶核有两类： －熔体本身形成的晶核，即自发晶核； －人为加入熔体的晶核，如拉单晶时使用的籽晶。 熔体形成自发晶核首先要形成“晶胚”，然后在一定过冷度下形成稳定的晶核。 当熔体处于稳定状态下是一个稳定的液相，由于热运动的涨落，总有一定几率的使熔体中部分原子聚集在一起，形成一些仅有几个原子范围规则排列的极微小的晶体-“晶胎”,称为“晶胚”。 晶胚不稳定，当温度低于熔点的某一过冷度时，晶胚才能长大为“晶核”，过冷度越大，形成晶核的数目越多。;由自发晶核形成的晶体，一般成为多晶体，极难形成单晶体。 因此，在拉单晶时，不希望产生自发晶核，要求：人为加入一个籽晶，同时严格控制熔体中的温度梯度和结晶界面的“过冷度”，使结晶界面附近以外的熔体处在高于熔点的过热状态。从而使熔体仅沿籽晶一个晶核结晶，长大成为单晶体。 晶体的长大 在晶体的生长过程中，只有很薄的一层熔体低于熔化温度，结晶是以薄层生长的方式进行。;首先形成二维晶核，当二维晶核达到一定的临界尺寸，在一定的过冷度下，晶体就在二维晶核的侧面横向生长，直到铺满一层。一层生长完毕，再开始新层生长。 ;拉单晶是在单晶炉内完成的。当前国际上供应硅单晶生长设备的主要著名厂商公司是美国KAYEX公司和德国CGS公司。这两个公司能供应生长不同直径的硅单晶生长设备，尤其是生长直径大于200mm的硅单晶生长设备系统。 国内：;上海汉虹精密机械有限