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- 2020-08-03 发布于天津
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5.1 金属 - 氧化物 - 半导体( MOS )场效应管 5.3 结型场效应管( JFET ) *5.4 砷化镓金属 - 半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET 放大电路 P 沟道 耗尽型 P 沟道 P 沟道 N 沟道 增强型 N 沟道 N 沟道 (耗尽型) FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 场效应管的分类: ( 电场效应,单极性管,电压控制电流 ) 增强型 :场效应管没有加偏置电压时,没有导电沟道 耗尽型 :场效应管没有加偏置电压时,就有导电沟道存在 N 沟道 P 沟道 (耗尽型) 场效应管的符号 N 沟道 MOSFET 耗尽型 增强型 P 沟道 MOSFET N 沟道 JFET P 沟道 JFET N 沟道增强型 MOSFET 工作原理 ( 1 ) v GS 对沟道的控制作用 当 v GS ≤0时 无导电沟道, d 、 s 间加电压时,也 无电流产生。 当 0 v GS V T 时 产生电场,但未形成导电沟道(感生沟 道), d 、 s 间加电压后,没有电流产生。 当 v GS ≥ V T
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