a-Si 与 LTPS的原理和工艺结构剖析.pptVIP

什么是a-Si ，原理是什么，构成是什么 什么是LTPS，原理是什么，构成是什么 什么是a-Si 无定形硅(a-Si)又称非晶硅，是硅的一种同素异形体。晶体硅通常呈正四面体排列，每一个硅原子位于正四面体的顶点，并与另外四个硅原子以共价键紧密结合. 早期的TFT-LCD都是用a-Si作为基底材料: 优点: a-Si为非晶硅技术，是目前应用最广的一种，a-Si TFT（非晶硅薄膜晶体管） 技术简单、成本低廉， 缺点： 但开关所占的像素本身的面积很大导致亮度无法做得很高（也就是开口率低）， 另外PPI也只能做到较低的一个水平。 传统a-Si 的排列结构分散零乱，电子迁移率低，因而电阻率大，电流流过时损耗较多 若要获得足够的驱动电流，低迁移率的a-Si TFT 必须以增大沟道宽度来实现，大尺寸的a-Si TFT 器件因此会降低显示的开口率、分辨率和显示亮度。因此在高PPI 和低能耗的面板需求升级情况下，a-Si TFT 显得力不从心。 当然消费者对显示产品的要求逐步提高，手机、平板等移动终端向着更高清、色彩度更饱和、更轻薄化发展。a-Si这种技术显然已经不能达到最新显示效果的要求，这时便孕育而生了IGZO与LTPS这两种技术（即从电子迁移率低的a-Si TFT（非晶硅薄膜晶体管）到电子迁移率高的LTPS/Oxide TFT（低温多晶硅/氧化物薄膜晶体管，Oxide TFT 以夏普铟镓锌氧化物即IGZO 为代表） 从上表可以看出： 1、LTPS、Oxide 电子迁移率分别是a-Si 的100 多倍、25 倍左右，可大大缩小TFT 尺寸，相同面积下的TFT 数量就可以越多，屏幕的PPI 自然越高（屏幕的PPI（像素密度）与TFT 背板材料的电子迁移率成正比） 2、 什么是a-Si 无定形硅(a-Si)又称非晶硅，是硅的一种同素异形体。晶体硅通常呈正四面体排列，每一个硅原子位于正四面体的顶点，并与另外四个硅原子以共价键紧密结合. 早期的TFT-LCD都是用a-Si作为基底材料，a-Si为非晶硅技术，是目前应用最广的一种，技术简单、成本低廉，但开关所占的像素本身的面积很大导致亮度无法做得很高（也就是开口率低），另外PPI也只能做到较低的一个水平。当然消费者对显示产品的要求逐步提高，手机、平板等移动终端向着更高清、色彩度更饱和、更轻薄化发展。a-Si这种技术显然已经不能达到最新显示效果的要求，这时便孕育而生了IGZO与LTPS这两种技术 从a-Si TFT LCD 到LTPS/Oxide TFT LCD，高清化指引TFT 背板技术升级：屏幕的PPI（像素密度）与TFT 背板材料的电子迁移率成正比，伴随屏幕高清化趋势的是面板TFT 驱动背板技术的升级：从电子迁移率低的a-Si TFT（非晶硅薄膜晶体管）到电子迁移率高的LTPS/Oxide TFT（低温多晶硅/氧化物薄膜晶体管，Oxide TFT 以夏普铟镓锌氧化物即IGZO 为代表）。传统a-Si 的排列结构分散零乱，电子迁移率低，因而电阻率大，电流流过时损耗较多。若要获得足够的驱动电流，低迁移率的a-Si TFT 必须以增大沟道宽度来实现，大尺寸的a-Si TFT 器件因此会降低显示的开口率、分辨率和显示亮度。因此在高PPI 和低能耗的面板需求升级情况下，a-Si TFT 显得力不从心。而LTPS/Oxide 电子迁移率分别是a-Si 的100 多倍、25 倍左右，可大大缩小TFT 尺寸，相同面积下的TFT 数量就可以越多，屏幕的PPI 自然越高 什么是a-Si 无定形硅(a-Si)又称非晶硅，是硅的一种同素异形体。晶体硅通常呈正四面体排列，每一个硅原子位于正四面体的顶点，并与另外四个硅原子以共价键紧密结合. TFT-LCD是薄膜晶体管液晶显示器英文thin film transistor-liquid crystal display的英文缩写。TFT-LCD利用在显示器件上的一种技术，它具有体积小、重量轻、低功率、全彩化等优点。它利用在Si上进行微电子精细加工的技术，移植到在大面积玻璃上进行tft阵列的加工，再将该阵列基板与另一片带彩色滤色膜的基板，利用已成熟的lcd技术，形成一个液晶盒相结合，再经过后工序如偏光片贴覆等过程，最后形成液晶显示器 什么是LTPS 低温多晶硅（LTPS）是适用于智能手机应用的高分辨率TFT液晶显示器背板技术。例如，已经将LTPS技术应用于30Hz帧速率驱动的8英寸2K 4K TFT LCD显示器和120Hz帧速率驱动的17.3英寸8K 4K TFT LCD。两种显示器具有通道宽度的收缩以及较薄的绝缘体当做存储电容，在垂直方面提供高显示质量(降低串扰和闪烁)。其中,1.5微米级的精密制