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LED封装技术介绍 正装结构与倒装结构 封装工艺流程 目录 LED封装的概述 LED芯片主要的两种流派结构介绍 LED两种芯片结构的封装工艺流程及技术 国内外LED封装产业总体发展分析 国内外重点LED封装企业的产品及技术分析 研发低热阻、优异光学特性、高可靠的封装技术是新型LED走向实用、走向市场的产业化必经之路。 LED技术大都是在半导体分离器件封装技术基础上发展与演变而来的。将普通二极管的管芯密封在封装体内，起作用是保护芯片和完成电气互连。 LED芯片只是一块很小的固体，它的两个电极要在显微镜下才能看见，需加入电流之后它才会发光。 在制作工艺上，除了要对LED芯片的两个电极进行焊接，从而引出正极、负极之外，同时还需要对LED芯片和两个电极进行保护。 LED的封装是为了维护本身的气密性，并保护不受周围环境中湿度与温度的影响，以及防止组件受到机械振动、冲击产生破损而造成组件特性的变化。因此，封装的目的有下列几点： (1) 防止湿气等由外部侵入； (2) 以机械方式支持导线； (3) 有效地将内部产生的热排出； (4) 提供能够手持的形体。 LED封装概述 封装的 必要性 封装 的作用 封装 的目的 LED芯片主要的两种流派结构介绍 LED 正装芯片是最早出现的芯片结构，也是小功率芯片中普遍使用的芯片结构。正装结构，上面通常涂敷一层环氧树脂，下面采用蓝宝石为衬底，电极在上方，从上至下材料为：P-GaN、发光层、N-GaN、衬底。 正装结构有源区发出的光经由P型GaN区和透明电极出射，采用的方法是在P型GaN上制备金属透明电极，使电流稳定扩散，达到均匀发光的目的。 正装结构介绍 图表 1：LED正装结构示意图 LED芯片主要的两种流派结构介绍 蓝宝石衬底的正装结构LED以工艺简单、成本相对较低一直是GaN基LED的主流结构。目前大多数企业仍采用这种封装结构，在我国LED生产技术较国际水平仍有一定差距的情况下，多数企业为节约生产与研发成本，仍在采用正装封装技术，正装结构LED在国内市场上仍有很大的市场。 LED正装结构 优缺点 该结构简单，制作工艺相对成熟。然而正装结构LED有两个明显的缺点，首先正装结构LED p、n电极在LED的同一侧，电流须横向流过N-GaN层，导致电流拥挤，局部发热量高，限制了驱动电流；其次，由于蓝宝石衬底的导热性差，严重的阻碍了热量的散失。 LED芯片主要的两种流派结构介绍 倒装芯片焊接（Flip-chip Bonding）技术是一种新兴的微电子封装技术，它将工作面（有源区面）上制有凸点电极的芯片朝下，与基板布线层直接键合。是在芯片的P极和N极下方用金线焊线机制作两个金丝球焊点，作为电极的引出机构，用金线来连接芯片外侧和Si底板。LED芯片通过凸点倒装连接到硅基上。这样大功率LED产生的热量不必经由芯片的蓝宝石衬底，而是直接传到热导率更高的硅或陶瓷衬底，再传到金属底座。 倒装结构介绍 图表 2：LED倒装结构示意图 LED芯片主要的两种流派结构介绍 LED倒装结构 优 缺 点 优点： 1、没有通过蓝宝石散热，从芯片PN极上的热量通过金丝球焊点传到Si热沉，Si（硅）是散热的良导体，其散热效果远好于靠蓝宝石来散热。故可通大电流使用； 2、尺寸可以做到更小，密度更高，能增加单位面积内的I／O数量；光学更容易匹配； 3、是散热功能的提升，使芯片的寿命得到了提升； 4、是抗静电能力的提升； 5、是为后续封装工艺发展打下基础。 2、倒装LED 颠覆了传统LED 工艺，从芯片一直到封装，这样会对设备要求更高，就拿封装才说，能做倒装芯片的前端设备成本肯定会增加不少，这就设置了门槛，让一些企业根本无法接触到这个技术。 缺点： 1、倒装LED 技术目前在大功率的产品上和集成封装的优势更大，在中小功率的应用上，成本竞争力还不是很强。 应 用 现 状 目前，做此类芯片的厂商还很少，对制造设备的要求比较苛刻，制造成本还比较高。因此，在市场应用还不是很广泛，但应用前景广阔。 实际应用 LED两种芯片结构的封装工艺流程及技术 LED正装结构的封装介绍 引脚式封装工艺流程 LED两种芯片结构的封装工艺流程及技术 LED正装结构的封装介绍 固晶站 焊线站 灌胶站 测试站 分光站 1W 大功率LED封装工艺流程 LED两种芯片结构的封装工艺流程及技术 LED正装结构的封装介绍 1W 大功率LED封装工艺流程 LED两种芯片结构的封装工艺流程及技术 LED正装结构的封装介绍 1W 大功率LED封装工艺流程 LED两种芯片结构的封装工艺流程及技术 LED正装