模拟集成电路课程设计PDF打印.pdfVIP

一 寸 光 阴 不 可 轻 模拟集成电路课程设计 CMOS 两级运放设计 一、摘要 本课程设计要求完成一个两级运放的设计，采用设计工艺为CMOS 的0.35um 工艺技术， 该工艺下器件可以等效为长沟道器件，在分析计算时可采用一级模型进行计算。本次设计主 要了对于共模输入电压等指标提出了要求，详见下表。在正文中将就如何满足这些指标进行 分析与讨论，并将计算结果利用cadence 进行仿真，得出在0.35um 工艺电路的工作情况。 二、电路分析 课程设计的电路图如下： 输入级（第一级）放大电路由M1-M5 组成，其中M1 与M2 为NMOS 差分输入对管， M3 与M4 为PMOS 有源负载，M5 为第一级提供恒定的偏置电流。 输出级（第二级）放大电路由 M6、M7 以及跨接在M6 栅漏两端（即第二级电路输入 与输出两端）的电容Cc 组成，其中PMOS 管M6 为共源极接法，用于实现信号的放大，而 M7 与M5 功能相同，为第二级提供恒定的偏置电流，同时M7 还作为第二级的输出负载。 Cc 将用于实现第二级电路的密勒补偿，改变Cc 的值可以用于实现电路中主极点与非主极点 分离等功能。 偏置电路由恒流源IB 和以二极管形式连接的M8 组成，其中M8 与M5，M7 形成电流 镜，M5 和M7 为相应电路提供电流的大小由其与M8 的宽长比的比值来决定。 1 一 寸 光 阴 不 可 轻 三、设计指标 本模块将根据设计要求的指标逐一进行分析： 开环直流增益：考虑直流增益时忽略所有电容的影响，画小信号图如下： Gm1*Vin ro2,4 Vds1 Gm6*Vds1 ro6,7 Vout 由小信号图可以得到电路中的直流增益为： A = −g r g r v m1 02,4 m6 o6,7 式中r = r ||r ，r = r ||r ，考虑到差分输入对管的一致性，故(W/L) = 02,4 o2 o4 o6,7 o6 o7 1 (W/L) ，从而g = g ，故上述表达式中用g 代为表示。 2 m1 m2 m1 同时，考虑到下式： 2I g = m (V −V ) gs th 以及表达式： 1 V L E r = = o λI I 从而可以将直流增益表达式表述为： 4λ λ λ λ n n p p A = − v (V −V ) (V −V ) (λ +λ )2 gs th 1 gs th 6 n p 同时可以将λ用V L替换，可以得出增益的大小在设计时只与MOS 管的过驱动电压和沟 E 道长度有关，当过驱动电压确定时（一般选取0.2V ），则需要通过增加沟道长