半导体集成电路快闪存储器(FLASH)-编制说明.pdf

国家标准报批资料 国家标准《半导体集成电路 快闪存储器（ FLASH）》 （征求意见稿）编制说明 一、工作简况 1、任务来源 本项目任务来源为国家标准化管理委员会文件 “国家标准化管理委员会关于 下达第二批推荐性国家标准计划的通知” （国标委发〔2019〕22 号）。项目计划 代号为T-339 ，主办单位为中国电子技术标准化研究院。 2、主要工作过程 编制组首先收集了国内外相关标准及技术资料，并进行了整理和分析。 首先，编制组对我国国家标准 《GB/T 12750-2006 半导体器件 集成电路 第 11 部分：半导体集成电路分规范（不包括混合电路） 》的技术内容及其对当前快 闪存储器产品考核的适用性进行了深入的研究。 同时，编制组收集了快闪存储器 国内外众多厂商的产品手册，并对手册技术指标进行了详细的分析。 编制组根据对上述国内外相关标准及技术资料的研究与分析， 充分结合我国 快闪存储器行业技术现状以及前期调研工作中所了解的各领域对快闪存储器的 功能、性能要求及可靠性要求，编制了标准草案。 之后，编制组组织召开了行业讨论会， 针对标准草案进行了逐条讨论， 会后 对标准草案做了进一步修改完善， 包括调整了标准结构、 补充了欠缺的技术内容、 修正了表述不准确或有歧义的文字描述，形成了征求意见稿。 3、标准编制的主要成员单位及其所做的工作 标准编制的主要成员单位包括北京兆易创新科技股份有限公司， 开展了资料 搜集与分析、标准重大问题的讨论等工作。 二、标准编制原则和确定主要内容的论据及解决的主要问题 1、编制原则 本标准编制在参考国内外相关标准及技术资料的基础上， 结合我国快闪存储 器的技术现状， 充分考虑我国各重点应用领域对快闪存储器的需求， 确定具体技 术要求，保证该标准能够切实符合当前的技术发展现状。 2、确定主要内容的依据 本标准规定了快闪存储器分类、技术要求、电测试方法及检验规则。 国家标准报批资料 其中分类、技术要求等内容均根据当前快闪存储器的技术类型、 产品功能及 性能特点、封装特点、工作及贮存温度要求来确定。 对于检验规则， 重点参考了 《GB/T 12750-2006 半导体器件 集成电路 第 11 部分：半导体集成电路分规范（不包括混合电路） 》。但 GB/T 12750-2006 是等同 IEC 标准制定的，其制定年代较早，且多年未修订，部分技术内容已不能完全适 应当前的技术发展。 因此本标准在其所规定的检验要求基础上， 对所引用的试验 方法标准进行了版本更新， 并根据新版本试验方法中的具体规定、 行业内产品检 验实际控制要求， 进行了部分试验条件的调整， 使试验条件规定更加科学、 合理， 更加符合当前的技术发展水平。同时结合快闪存储器产品的具体特点，补充了 GB/T 12750 中未规定的部分试验项目如键合强度试验、擦写耐久和数据保持试 验。 3、编制过程中解决的主要问题（做出的贡献） 编制过程中主要解决如下问题： （1） 确定了功能及电特性参数体系要求 快闪存储器种类较多，