集成电路工艺原理试题总体答案.pdf

。 目录 一、填空题（每空 1 分，共 24 分） 1 二、判断题（每小题 1.5 分，共 9 分） 1 三、简答题（每小题 4 分，共 28 分） 2 四、计算题（每小题 5 分，共 10 分） 4 五、综合题（共 9 分） 5 一、 填空题（每空 1 分，共 24 分） 1. 制作电阻分压器共需要三次光刻，分别是 电阻薄膜层光刻、 高层绝缘层光刻 和 互连金属层光刻。 2. 集成电路制作工艺大体上可以分成三类，包括图形转化技术、薄膜制备技术、掺杂技术。 3. 晶体中的缺陷包括 点缺陷 、 线缺陷 、 面缺陷 、 体缺陷 等四种。 4. 高纯硅制备过程为 氧化硅 → 粗硅 → 低纯四氯化硅 → 高纯四氯化硅 → 高纯硅。 5. 直拉法单晶生长过程包括 下种 、 收颈 、 放肩 、 等径生长 、 收尾 等步骤。 6. 提拉出合格的单晶硅棒后，还要经过 切片 、 研磨 、 抛光 等工序过程方可制备出符合集成电路制造要求的硅衬底 片。 7. 常规的硅材料抛光方式有： 机械 抛光， 化学 抛光， 机械化学 抛光等。 8. 热氧化制备 SiO 的方法可分为四种，包括 、 水蒸汽氧化 、 湿氧氧化 、 。 2 干氧氧化 氢氧合成氧化 9. 硅平面工艺中高温氧化生成的非本征无定性二氧化硅对 硼 、 磷 、砷（As ）、锑（ Sb）等元素具有 掩蔽 作用。 10. 在 SiO2 内和 Si- SiO 2界面存在有 可动离子电荷 、 氧化层固定电荷 、 界面陷阱电荷 、氧化层陷阱 等电荷。 11. 制备 SiO2 的方法有 溅射法 、 真空蒸发法 、 阳极氧化法 、 热氧化法 、 热分解淀积法 等。 12. 常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中，杂质在体内满足 余误差 函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表 面源扩散过程中，杂质在体内满足 高斯分布 函数分布。 13. 离子注入在衬底中产生的损伤主要有 点缺陷、非晶区、非晶层 等三种。 14. 离子注入系统结构一般包括离子源、磁分析器、加速管、聚焦和扫描系统、靶室等部分。 15. 真空蒸发的蒸发源有 电阻加热源 、 电子束加热源 、 激光加热源 、 高频感应加热蒸发源 等。 16. 真空蒸发设备由三大部分组成，分别是真空系统、蒸发系统、基板及加热系统。 17. 自持放电的形式有辉光放电、弧光放电、电晕放电、火花放电。 18. 离子对物体表面轰击时可能发生的物理过程有 反射、产生二次电子、溅射、注入。 19. 溅射镀膜方法有 直流溅射 、 射频溅射 、 偏压溅射 、 磁控溅射（反应溅射、离子束溅射） 等。 20. 常用的溅射镀膜气体是氩气（ Ar ）, 射频溅射镀膜的射频频率是 13.56MHz。 21. CVD过程中化学反应所需的激活能来源有？ 热能 、 等离子体 、 光能 等。 22. 根据向衬底输送原子的方式可以把外延分为： 气相外延 、液相外延 、固相外延 。 23. 硅气相外延的硅源有 四氯化硅（ SiCl4 ）、三氯硅烷（