某一半导体材料价带顶附近电子能量可表示为Ek= 10 36k2J.ppt

1. #1-1 2. #1-2 3. # 补充题 : 某一半导体材料价带顶附近电子能 量可表示为 E(k)= -10 -36 k 2 (J), 其中能量零点取 在价带顶 . 此时若 k=1 × 10 8 m -1 处电子被激发到 导带 , 而在该处产生一个空穴 . 试求此空穴的有 效质量 ; 准动量 ; 共有化运动速度和能量 . 习题 Ⅰ 习题 Ⅱ 1. #1-3 2. #1-4 3. #2-7 4. # 补充题 : 已知硅的电子有效质量为 m l = 0.98m 0 , m t = 0.19m 0 . 现掺入施主杂质 , 请利 用类氢模型估计 : ⑴杂质电离能 , ⑵杂质的等 效玻尔半径 , ⑶当相邻杂质原子的电子轨道 发生交迭时的施主浓度 关于回旋共振实验结果的一些说明 ? Si 的导带回旋共振实验 : B 任意取向 , 可观察到三个吸收峰 ; [ B 在 {110} 面 上 , 仍是二个吸收峰 ] ? #1-4 Ge 的导带回旋共振实验 : 讨论 B 沿 <100> 方向 , <111> 方向 , <110> 方向 ; [ B 在 {110} 面上 ; ] B 任意取向 . ? #1-3 导带的极值在 <110> 方向 : 讨论 B 沿 <100> 方向 , <111> 方向 , <110> 方向 ; B 任意取向 . 习题 Ⅲ 1. #3-1 2. #3-3 又 : 由这计算结果 , 你得到什么结论 ? 3. #3-6 习题 Ⅳ 1. #3-7 2. #3-8 3. #3-10 4.#3-11 5.#3-12 要求：用语言将你的计算结果总结一下 ( 本题涉及的对数方程 , 可用图解法 ; 可借助计算机 进行计算 ; 也可作近似估算，数量级要正确 ) 习题 Ⅴ 1. #3-13 2. #3-15 3. #3-16 4. #3-18 （查图表时，至少要保证数量级正确） 习题 Ⅵ 1. #4-2 2. #4-4 3. #4-7 4. #4-11 5. #4-15 [ 必要时，须考虑温度和杂质浓度对载流 子浓度和迁移率的影响 ] 习题 Ⅶ 1. #4-12 2. #4-13 3. #4-15 [ 必要时，须考虑温度和杂质浓度对载流 子浓度和迁移率的影响 ] 4. 补充：定性分析掺杂半导体电阻率随温 度的变化关系。 习题 Ⅷ 1. # 4-16 2. # 4-19 ( 应用图 4-17) 3. # 12-1 4. # 12-6 5. 补充题 : Si 原子加到 GaAs 材料中 , 可取代 Ga 原子成为施主杂质或取代 As 原子成为受 主杂质 . 假定 Si 原子浓度为 2 × 10 14 cm -3 , 其中 5% 取代 As 原子 , 95 % 取代 Ga 原子 , 并在 室温下全部电离 . 求 : (1) 样品的电导率 . (2) 样品的 Hall 系数 . 习题 Ⅸ 1. #5-3 2. #5-4 3. #5-7 4. #5-8 5. 补充题 : 一块 p 型半导体 , 画出下列情况 下的能带简图 , 标出费米能级或准费米能 级的位置 . ①无光照 ②有光照 , Δ n= Δ p<n i ③有光照 , 小注入 , 但 Δ n= Δ p>n i ④有光照 , 大注入 习题 Ⅹ 1. # 5-9 2. # 5-12 3. # 5-15 4. # 5-16 5. # 5-17 ( 考虑掺杂浓度对迁移率的影响 ) 6. # 5-18(Au 饱和浓度可取 15 3 3 10 t N cm ? ? ? 习题 Ⅺ 1. #6-1 2. #6-2 ( 正向偏置 , 小注入 ) 3. #6-3 4. #6-5