《透射电子显微学》第4章菊池衍射图的分析及应用.pptx

透射电子显微学课程主要内容绪论倒易点阵及电子衍射基础单晶电子衍射图的分析及标定孪晶电子衍射图的分析菊池衍射图的分析及应用两相取向关系的测定高阶劳厄电子衍射图的分析及应用晶体的其它衍射效应及复杂衍射花样特征晶体薄膜的衍射衬度原理概述晶体缺陷和第二相的衍衬分析弱束暗场技术及透射电镜相关技术第四章 菊池衍射图的分析及应用基本概念菊池线的产生及衍射几何菊池线的几何特征菊池线的标定菊池线衍射图的应用引言 透射电镜中的电子衍射方法及衍射花样特征 选区电子衍射?-衍射 常见的选区电子衍射花样单晶体多晶体准晶体非晶体引言 菊池衍射花样单菊池极多菊池极引言 菊池衍射花样及其出现的条件晶体比较完整样品厚度比较合适完全吸收试样厚度衍射斑点和菊池线共存明锐的衍射斑点单晶厚度对衍射图的影响引言 菊池衍射花样在晶体材料中的应用相鉴定衬度分析精确测定晶体取向测定电子束波长迹线分析第一节 基本概念 基本概念菊池线弹性散射和非弹性散射菊池带菊池极菊池图荧光屏中心第二节 菊池线的产生及衍射几何 菊池线的产生入射束入射束OθθO(hkl)样品QP′Q′P非弹性散射电子强度分布由于 IP′ >IQ′，OP方向的背底强度净减 IP′ –IQ′OQ方向的背底强度净增IP′ –IQ′ 菊池衍射几何(hkl)Nhkl90?-θN-h-k-l因θ很小且反射球很大，菊池线近似为平行线对-h-k-l000hkl-h-k-lhkl 菊池衍射几何第三节 菊池线的几何特征 hkl 菊池线对间距 R 和晶面间距 d 仍然满足 Rd = Lλ hkl 菊池线对垂直于hkl 斑点到中心斑点的连线 hkl 菊池线对中线可视为 (hkl)晶面与荧光屏的交线 两菊池线对中线间夹角与两晶面间夹角相等 菊池衍射图中可能同时存在 几个晶带的菊池线，能提供 晶体结构的三维信息，不存在180?不唯一性 菊池线在衍射图中的位置相对于晶体取向非常敏感，随 着样品倾转菊池线将发生位移，移动的方向和大小能精 确地反映晶体取向变化OOhklhkl-h-k-lO*O*-h-k-lhkl-h-k-l000菊池线位置随晶体取向的变化θθθθ(hkl)(hkl)-h-k-lhkl000-h-k-lhklhkl-h-k-ls+g< 0， s+g = s-gs+g= 0OOhklhkl-h-k-lO*O*-h-k-lhkl-h-k-lhkl-h-k-l000000菊池线位置随晶体取向的变化θθθ(hkl)(hkl)hklhkl-h-k-l-h-k-ls+g> 0s+g< 0第四节 菊池线的标定 单菊池极衍射图衍射图中只有一个对称中心，菊池线由一个晶带内的晶面衍射产生 多菊池极衍射图衍射图中有多个对称中心，菊池线由多个晶带的晶面衍射产生。最常用的是三菊池极衍射图多菊池极衍射图不存在180?，菊池极的指数可以唯一确定，三菊池极衍射图常用于精确测定晶体取向h2k2l2h1k1l1h3k3l3 三菊池极衍射图的标定5. 计算菊池线的晶带轴指数1. 测量菊池线对间距及线对中线间夹角4. 标定菊池线对指数[uvw]A=[323]选定(h1k1l1)外侧菊池线为(20-2)R1=20.4mm，R2=31.4mm，R3=32.2mm，?12=49.5?，?13=71.5?，? 23=59.0? 为满足?12 ，(h2k2l2)内侧菊池线指数可以是 (13- 3)、(1-3-3)、(33-1)或(3-1-1) 为满足?13 ，(h3k3l3)内侧菊池线指数可 以是(240)、(2-40)、(04-2)或(0-4-2)C[uvw]B=[212][635]2. 计算晶面间距[uvw]C=[635]?23d1=0.126nm，d2=0.082nm，d3=0.080nm 不妨选定(h2k2l2)内侧菊池线为(13-3)3. 确定菊池线所属晶面族指数5. 校核标定结果-240-1-33 为满足?23 ，(h3k3l3)内侧菊池线 指数只能是(2-40){h1k1l1}={220}，{h2k2l2}={331}{h3k3l3}={420} 要满足hu + kv + lw > 0 (hkl)是不属于[uvw]晶带内 晶面的外侧菊池线指数2-4013-3 标定其余菊池线指数?12?13[212][323]-202BA20-2γ-Fe( fcc，a = 0.357nm)，Lλ=2.57mm·nmCh2k2l2R3O′R2R1ABh1k1l1h3k3l3第五节 菊池衍射图的应用 精确测定晶体取向（三菊池极衍射图法）三菊池极分别为：Z1 = [u1v1w1]，Z2 = [u2v2w2]， Z3 = [u3v3w3]测量三菊池极到荧光屏中心距离：R1 ，R2 ，R3OCO′ABOO′是入射束方向，其反方向就是晶体相对于 入射束的取向B，简