《透射电子显微学》第6章高阶劳厄区电子衍射图的分析及应用.ppt

第六章 高阶劳厄区电子衍射图 的分析及应用 高阶劳厄带斑点的形成 高阶劳厄带斑点的几何特征 高阶劳厄带斑点指数的标定 高阶劳厄带斑点的应用 第一节 高阶劳厄带斑点的形成 高阶劳厄斑点的形成 出现高阶劳厄斑点的条件 高阶倒易平面上的倒易阵点与反射球面接触，相应晶面满足衍 射条件而产生衍射的结果 薄膜样品厚度 衍射物质的晶格常数 电镜加速电压 晶带轴指数 晶带轴方向偏离入射束的程度 样品因素 实验条件 第二节 高阶劳厄带斑点的几何特征 0阶 1阶 2阶 O O* (uvw)0* (uvw)1* O O* (uvw)1* (uvw)2* (uvw)0* [uvw] [uvw] 高阶劳厄带斑点的分布特征 高阶劳厄带斑点构成的平行四边形特征 同一高阶劳厄斑点构成的二维网格与零阶劳厄斑点相同 在一般情况下，高阶劳厄斑点相对于零阶劳厄斑点具有一定平移 平移的方向及大小与晶体结构及晶带轴指数有关 高阶劳厄斑点指数(hkl)与晶带轴指数[uvw]及阶次N之间满足 广义晶带定律 (uvw)N* (uvw)0* G ghkl P O* gHKL ruvw g'hkl Nd*uvw 第三节 高阶劳厄带斑点指数的标定 垂直投影公式 垂直投影公式 高阶劳厄带斑点指数标定 标定步骤 1. 标定零阶劳厄带斑点指数，确定晶带轴指数[uvw] 2. 选取高阶劳厄带的阶次N ，选取阶次时应考虑晶体的消光条件 3. 利用广义晶带定律选择N 阶倒易平面上的倒易阵点 (hkl) 4. 利用垂直投影公式，求(hkl)倒易阵点 在零阶倒易平面上的投影位 置(HKL)，该位置的衍射斑点指数即为(hkl) 5. 标定其余的高阶劳厄带斑点指数，用矢量运算法外推 对于六方、单斜、三斜等对称性较低的晶系及简单晶胞 面心立方晶体，u + v + w = 奇数 体心立方晶体，u，v， w 为异性数 阶次N 连续的情况 阶次N 取偶数的情况 面心立方晶体，u + v + w = 偶数 体心立方晶体，u，v， w 同为奇数 G0 G1 G2 O* ruvw g1 g2 g0 g1′ g2′ 高阶劳厄带斑点标定的外推法 g2 = g0 + g1， ( h2 k2 l2 ) = ( h0 k0 l0 ) + ( h1 k1 l1 ) 000 2-20 20-2 0-22 02-2 -202 -220 22-4 11-1 1-11 -111 -13-1 -1-13 -313 -331 (111)*1 (111)*0 高阶劳厄带斑点标定举例 面心立方晶体的衍射图 标定零阶劳厄带斑点指数，确定晶 带轴指数[111] 选取阶次N，u + v + w = 3，选 N = 1 (11-1)斑点属于1阶劳厄带，求(HKL) [HKL] = [11-1] – 1/3 [111] = 1/3 [22-4] 知(11-1) 在(111)*0上的位置为1/3(22-4) 即，斑点A 指数为(11-1) A B 用外推法标定其它斑点，如斑点B (11-1) + (0-22) = (1-11) 用相同方法标定其它斑点指数 O* (uvw)0* (uvw)N* Nd*uvw 第三节 高阶劳厄带斑点的应用 估算样品在入射束方向上 的厚度和倒易面间距 t G0 G 入射束 O 样品厚度为t，反射球半径为1/λ G0 是倒易矢量 g0 的端点 倒易阵点的扩展量为1/t g0 G为(uvw)N*的阵点，面间距为Nd*uvw R0 和 RN 分别是 0 阶劳厄区半径和 N 阶劳厄环半径 ? -Si3N4 a = 0.7758nm c = 0.5623nm ? - Si3N4 a = 0.7603nm c = 0.2909nm [0001] 利用高阶劳厄环估算晶格常数 TiC·fcc [112] 000 11-1 -220 -13-1 000 00-2 110 11-2 13-1 -15-1 020 -240 100 10-2 210 21-2 10-1 21-1 TiC·fcc (112)* Mo2C·hcp [1-10] Mo2C·hcp (1-10)* 2阶 1阶 物相鉴定 TiC，fcc 结构， a = 0.433nm Mo2C，hcp 结构， a = 0.306nm，c = 0.498nm