氮化镓的合成制备及展望.docVIP

氮化镓的合成制备及展望 摘 要：氮化镓作为第三代半导体的代表，具有优越的电学性能，它在光电子器件如：蓝光、紫外、紫光等光发射二极管和激光二极管方面有着重要的应用.。氮化镓的合成制备，对全球半导体产业的发展具有重要意义，目前已经成为世界的研究热点。本文对氮化镓薄膜以及纳米氮化镓的合成制备方法进行了综述。 引 言 GaN 是一种优异的直接带隙半导体材料，室温下禁带宽度为3.4 eV，具有优良的光电性能、热稳定性及化学稳定性，是制作高亮度蓝绿发光二极管( LED) 、激光二极管( LD) 以及大功率、高温、高速和恶劣环境条件下工作的光电子器件的理想材料。最近有报道发现GaN 基纳米材料具有吸收可见光使水解离产生氢的性能，这使得GaN 纳米材料的研究获得了很多的关注。半导体纳米粒子由于小尺寸效应，往往会呈现不同于体材料的发光特性。但要实现高效可靠的光发射，尤其是可在柔性衬底上制作器件并可供日常使用的光发射材料仍然是个巨大的挑战。目前，合成GaN纳米粒子方法主要有氨热法、金属有机化合物化学气相沉积( MOCVD) 法、高温热解法、胶体化学法等。 一、氮化镓薄膜制备 GaN 薄膜的合成技术，近年来在文献中有很多的报导。由于GaN 的熔点很高，且饱和蒸汽压较高，在自然界中无法以单晶形式存在，而且用一般的体单晶生长方法来制备薄膜也相当困难，必须采用外延法进行制备。MOCVD，M