环栅场效应管（GAAFET）工艺波动及其对SRAM性能影响研究.pdf

摘要 半导体产业一直在飞速地发展，电路设计、晶体管和制备工艺等层面都取得 了很大进步 。当前集成电路产业界广泛应用的核心器件是鱼鳍式场效应晶体管 (FinFET) ，然而随着工艺节点即将进入 5 纳米甚至 3 纳米 以下，利用 FinFET 器 件来实现更快的开关速度及更低功耗 已经十分困难 。环栅场效应晶体管 （Gate All Around Field Effect Transistor，GAAFET ）由于具有更好的栅极控制特性，能够实 现更好的开关特性及更有效的抑制短沟道效应，被认为是替代 FinFET 的最佳候 选者。然而 GAAFET 沟道制备工艺十分复杂，工艺随机波动在小尺寸下表现十 分 明显，工艺波动对器件和电路 电学性能的影响需要格外重视 。针对 GAAFET 工艺波动及其对 SRAM 性能影响的问题，本论文的研究内容及成果如下： 借助 TCAD 工具搭建 5nm 工艺节点 GAAFET，对器件的形貌尺寸掺杂等特 性进行研究，通过仿真对器件进行直流特性和交流特性的电学参数提取，对 GAAFET 的电学特性进行分析 。基于 GAAFET 器件结构进行工艺波动性仿真， 将随机掺杂 波动，界面陷阱波动，金 属功函数波动和氧化物厚度变化 引入 GAAFET 进行工艺波动模拟，单次仿真样本量为 500，研究不同器件波动的作用 表现和相关性，通过结果对比分析不同波动因素对器件 电学特性的影响。本文搭 建的 GAAFET 中，氮化钛金属功函数波动引起阈值 电压变化最为明显，波动标 准差为 19.2mV，且陷阱波动和金属功函数波动的影响会相互叠加，需要同时进 行考虑 。 基于 GAAFET 器件搭建 SRAM 存储单元并对其进行性能研究。通过 6T- SRAM 存储单元的电学模拟仿真，对其数据的读取、写入和保持状态的性能参数 进行提取。结合 GAAFET 器件波动，提取静态噪声容限在不同器件波动时的变 化，对存储单元的抗干扰能力进行深入分析 。由于阈值电压的变化会直接静态噪 声容限，金属功函数波动对存储单元噪声容限降低影响最为明显，使平均读静态 噪声容限降低了 11mV ，其波动标准差为 15mV。在 6T-SRAM 存储单元的结构 中，相比于上拉管和下拉管，传输管阈值电压的波动对存储单元噪声容限的影响 更大，传输管电学参数的稳定性十分重要。考虑存储单元的功耗优化，从其读取 I 能力、写入能力、漏 电功耗和静态噪声容限的角度对降低存储单元的电源 电压的 影响进行了全面分析，综合评估来寻找 SRAM 的抗干扰能力和功耗优化 的方案 。 论文工作对纳米工艺条件下 GAAFET 器件结构设计优化，器件不同工艺波 动的影响，SRAM 存储单元的稳定性分析等方面具有很好的指导意义 。 关键字：TCAD 仿真，环栅场效应管，工艺波动性，静态噪声容限 II Abstract The semiconductor industry has been developing rapidly, and great progress has been made in circuit design, transistor, and manufacturing processes. The core device widely used in the current integrated circuit industry is FinFET, but as the technology node will enter 5 nm or even below 3