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ST STDRIVE601三相半桥高压栅极驱动器解决方案 时间：2019-08-13 10:37:58?????? 来源：中电网 ST公司的STDRIVE601是单片三相半桥高压栅极驱动器,采用BCD6s离线技术制造,用于N沟功率MOSFET或IGBT,适用于三相应用.所有 器件的源电流和沉电流分别是350mA和200mA.采用互锁和死区功能可防止交叉导通.器件的高压可高达600V,dV/dt瞬态度端正免疫度为±50 V/ns,栅极驱动 电压范围从9V到20V,整个输入-输出传输时延为85ns,所有通路匹配传输入时延,带滞后的3.3V,5V TTL/CMOS输入,集成了阴极负载二极管(自举二极管),主要用在三相马达驱动和 \o 逆变器 逆变器.本文介绍了STDRIVE601主要特性,框图,典型应用框图以及 三相栅极驱动器演示板EVALSTDRIVE601主要特性,电路图,材料清单和PCB设计图.The STDRIVE601 is a high voltage devicemanufactured with BCD6s offline technology. It isa single-chip with three half-bridge gate drivers forN-channel power MOSFETs or IGBTs suitable for3